СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭКСПОЗИЦИИ ЗАСВЕТКИ ФОТОРЕЗИСТОВ Советский патент 1969 года по МПК H01L21/3105 

Изобретение относится к области микро5лектро.ники.

В настоящее время экспозицию определяют подбора выдержки при засветке методом последовательного приближения. Для этого необходимо каждый раз проводить процесс фотолитографии от начала до конца,чтобы выявить недодержку или передержку. И первое, и второе существенно ухудшает показатели процесса и выпускаемых изделий, а сам метод подбора экепозиции путем последовательиого приближения требует большой затраты времени и материала.

Предложенный епособ определения экспозиции по инфра.красным спектрам поглощения пленки фоторезиста непосредственно на полупроводниковом материале (пластинках германия, кремния и др.) не имеет этих недостатков.

Способ заключаетея в следующем.

Фоторезистам, представляЕОщим собой производные диасоединений или азидов, свойственно сильное поглощение в области 2000- 2500 , обусловленное валентными колебаниями CNa и CNs-rpynn. При облучении ультрафиолетовым или видимым светом, или обоими вместе эти материалы необратимо,распадаются, давая продукты, не имеющие указанных функциональных групп в молекулах. В результате в этой же области спектра отсутствует характерное для этих групп поглси 1,ение. Определение времени исчезновения полосы поглощения в инфракрасном спектре в области 2000-2500 см при облучении фоторезиста позволяет фиксировать экспозицию засветки. Благоприятным фактором являсгся прозрачность полупроводниковых материалов (германия, кремния и др.) в области поглощения СХо и Слз-групп.

Пример. Определение экспозиции засветки бисфенолсульфоэфира нафтохинондиазида.

Облучение пленки, лолученно из диокс: нового раствора фоторезиста на кремневой пластинке толщиной 200 мк марки КДБ-10, велось ультрафиолетовым светом в кюветчом отделении спектрофотометра УППКАМ-200. Па нем же производилась и регистрация инфракрасного спектра. Полоса поглощения валентных колебаний CNo-rpynn молекул данного продукта наблюдается при частоте 2130 . Время исчезновения этой полосы (экспозиция засветки) составило 20 мин.

Способ позволяет улучшить воспроизводимость и увеличить выход годной продукции.

Предмет изобретения 3 ся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости и увеличения выхода годных приборов, полупроводниковый эиитаксиальный материал с нанесенным на него фоторезистом облучают 4 ультрафиолетовым или видимым светом, причем экспозицию определяют по времени исчезиовения полосы поглощения лленки фоторезиста в области 2000-2500 см-i.