ВТОРИЧНО-ЭМИССИОННАЯ УМНОЖИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЙ ФОКУСИРОВКОЙ Советский патент 1969 года по МПК H01J43/08 

Известна вторично-эмиссионная умножительная система ФЭУ-56АУР с электростатической фокусировкой, эмиттеры которой имеют радиусную рабочую поверхность, прямолинейный участок с окном, касательный к радиусной части, и ускоряющий участок с козырьком, причем ускоряющие электроды умножительной системы выполнены в виде дополнительных штырьков.

Недостаток известной системы состоит в том, что ускоряющие электроды расположены вдали от основной рабочей части эмиттера, что не позволяет заметно увеличить напряженность поля у эмиттирующей .поверхности.

Предложенная умножительная система отличается от известной тем, что прямолинейный участок, касательный к радиусной части эмиттера, расположен под углом 30-40° к центральной плоскости системы, а ускоряющий участок - под углом 90-110° на расстоянии 1-2 мм от поверхности предыдущего эмиттера.

Это позволяет получить высокий градиент потенциала у поверхности эмиттера и снизить габариты системы, что важно для использования ее во временных ФЭУ.

корытообразные эмиттеры с радиусной рабочей поверхностью /. касательный к радиусной части прямолинейный участок 2 с окном 3 и ускоряющий участок 4 в .виде козырька. Прямолинейный участок 2 расположен лод углом 30-40° к центральной плоскости системы, а ускоряющий участок 4 расположен иод углом 90-110 на расстоянии 1-2 мм от поверхности .предыдущего эмитгера.

Предмет изобретеиия

Вторично-эмиссионная умножительная система с электростатической фокусировкой, содержащая корытообразные эмиттеры, имеющие радиусную рабочую поверхность, прямолинейный участок с окном, касательный к радиусной части, и ускоряющий участок в виде козырька, отличающаяся тем, что, с целью получения высокого градиента потенциала у поверхности эмиттера и уменьшения габаритов системы, прямолинейный участок, касательный к радиусной части, расположен под углом 30- 40 к центральной плоскости вторично-эмиссионной умножительной системы, а ускоряющий участок - под углом 90-110° на расстоянии 1-2 льи от поверхности предыдущего эмиттера.