ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1969 года по МПК H01L27/12 

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в особенности к активным и иассивным структурным элементам в микроминиатюрных полупроводниковых функциональных блоках.

Известные полупроводниковые устройства со слоями различной проводимости не выдерживают больших пробивных напряжений из-за того, что р-/г-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность.

С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатюрном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р-«-нереходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою.

В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий непроводяш;ий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим нараш,иванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элемента.

Полупроводниковое устройство изображено на чертеже.

Оно содержит непроводяш,ий слой / SiO2, контактные плошадки 2, высоколегированный полупроводниковый слой 3, толстый непроводяш,ий слой 4 и поликристаллический кремниевый слой 5.

В такой конструкции критические р-п-переходы расположены нерпендикулярно к изоляционному слою SiOs, что позволяет повысить их пробивное напряжение. Таким образом могут быть изготовлены как триодные, так и четырехслойные структуры.

Предмет изобретения

Полупроводниковое устройство со слоями различной проводимости, отличающееся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения переходов, критические f)-п-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою.

« S