ПРИБОР ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Советский патент 1970 года по МПК G01N13/00 B24B49/12 

Изобретение может быть использовано при прецизионной полировке поверхностей кристаллических материалов, например заготовок полупроводниковых приборов.

Известные приборы для контроля состояния поверхности, в которых для выделения необходимого спектрального интервала используют кварцевые призмы, входные и выходные щели, параболические и поворотные зеркала, сложны по конструкции.

В предлагаемом устройстве призмы и дифракционные решетки отсутствуют, а интервал, соответствующий пику поглощения контролируемого полупроводникового материала, например кремния, выделяется автоматически с помощью прецизионно-полированных пластин, например, кремния ,и связанного с ними селективного фотоприемиика, максимум чувствительности которого соответствует пику отражения исследуемого полупроводникового материала.

Па чертеже представлена схема предложенного прибора.

Прибор содержит водородную ламлу 1, кварцевую лампу 2, фильтр 3 из пластин кремния, обработанных окисью хрома (набор этих пластин практически вырезает диапазон 0,28 мк, так как при остальных длинах волн коэффициент отражения резко снижается и составляет 30 - 40%), плоские зеркала 4, подставку 5, на которую устанавливают исследуемые пластины 6; модулятор 7; фотоумножитель 5 типа ФЭУ-57 или ФЭУ-39 с кварцевым входным окном; блок питания 9 водородной лампы; блок 10 регистрации фототока ФЭУ. Прибор работает следующим образом. Ультрафиолетовое излучение лампы, многократно отражаясь от стопки пластин кремния, практически становится состоящим из длин волн, лежащих в области 0,28 мк. При установке исследуемой пластины с более грубой обработкой сигнал во входном канале превышает сигнал в выходном канале. Вводя ослабитель света во входной канал, по его положению судят о качестве обработки пластины.

Прибор может быть выполнен по двухлучевой схеме. В этом случае сигнал от исследуемой пластины сравнивается с сигналом от эталонной пластины.

Предмет изобретения

Прибор для контроля качества полировки полупроводниковых .пластин, содержащий источник ультрафиолетового света, приспособления для фокусировки и модуляции -света, диафрагму, устройство для регистрации сигнала фотоприемника, отличающийся тем, что, с целью повыщения чувстительности прибора, он содержит устройство для многократного

кенное в виде набора прецизионно-полированных пластин того же материала, что и контролируемый, а так/ке связанини с этим устройством селективный фотоприемник, максимум

спектральной чувствительности которого совнадает со спектральным интервалом пика отражения контролируемого полупроводникового материала.