СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ Советский патент 1970 года по МПК G01R27/26 

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано в измерительных лабораториях научно-исследовательских институтов, на производстве для контроля параметров изготовляемых диэлектрических материалов и устройства из них (диэлектрических покрытий, антенных обтекателей и др.).

Известны способы измерения диэлектрической проницаемости, однако их недостатками является неточное определение угла Брюстера, вызванное расширением минимума коэффициента отражения электромагнитной волны от диэлектриков с потерями, и невозможность точного измерения углового положения максимумов отраженных от двух поверхностей образца сигналов, а поэтому неточное определение расстояния между этими сигналами.

По предлагаемому способу для повышения точности измеряют амплитуды ортогональных составляющих отраженного сигнала и по их отношению в разности фаз определяют действительную и мнимую части диэлектрической проницаемости.

На чертеже дана схема устройства, реализующего предлагаемый способ.

на поверхность диэлектрика 4 (лучше ф 45°). В таком положении измеряют амплитуды параллельной и перпендикулярной составляющих отраженного сигнала, ориентируя соответствующим образом приемную антенну. Затем измеряют разность фаз этих же составляющих, для чего включают опорный сигнал и перемещают приемную антенну в направлении луча, отраженного от диэлектрика, до появления интерференционного минимума для одной из составляющих отраженного сигнала. Потом, повернув антенну вокруг своей оси для приема другой составляющей сигнала, находят перемещением антенны в том же направлении другой интерференционный минимум. Определив расстояние между найденными минимумами, вычисляют разность фаз составляющих отраженных сигналов.

Предмет изобретения

Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости в миллиметровом диапазоне волн, основанный на явлении отражения электромагнитной волны от границ раздела двух сред, отличающийся тем, что, с цэлью повыщения точности, измеряют амплитуды ортогональных составляющих отраженного сигнала и по их отношению в разности фаз определяют действительную и мнимую части диэлектрической проницаемости.