Способ получения монокристаллических пленок на аморфной подложке Советский патент 1982 года по МПК C30B23/00 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и квантовой электронике.

Известны способы получения монокристаллических пленок на аморфном материале, например стекле, или на поликристаллическом материгше, например стекле или металлах (вольфра и др., с использованием методов рекристаллизации или двумерной зонной плавкой поликристаллических слоев. Рекристаллизация.двуслойной систеил пленок приводит к диффузии вещества в слоях, и резкая граница между ними нарушается.

Двумерная плавка также не дает желаеких результатов. Характерная для рекристаллизации диффузия еще в большей степени присуща методу двумерной зонной плавки. К тому же при проведении последней предъявляются жесткие требования к материа- лу подложки: так как подложка смачивается расплавом наносимого вещества, то материал ее должен только слабо растворяться в наносимом веществе, а коэффициенты термического расширения материала подложки

и наносимого вещества должны быть очень близкими.

Предложенный способ отличается известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку.

Это позволяет получить бездислокационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.

Получение монокристаллической пленки описываемым способом осуществляют в два этапа.

Iэтап. Вещество напыляется на

5 свежие сколы растворимых кристаллов, например NaCl, KB г и др., в результате получаются тонкие 400-1000 А монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяются

0

от водорастворимой по.цложки и наносятся на cJгeклo простым подхватыва-ниём с воды. СцеЛление такой пленки со стеклом достаточно хороше е.

IIэтап. Стекло с механически на5несенной на него монокристаллической пленкой помещается в вакуумную установку, например УВР-2. Через узкую 10-30 мк щель начинается напыление новой пленки, Испаряемое вещест о, осаждаясь сперва на механи32;7007б4

чески нанесенной тонкой монокристал- Формула изобретения личесзкой затравке, по законам ориентированного нарастания образует моно- Способ получения монокристаллическристаллический осадок. Во времяких пленок на аморфной подложке нанапыления стеклянная подложка с зат-несением на эту подложку монокрисравкой пропучивается над узкой ще- 5,таллического подслоя и протягивани- , лью со скоростью от 120 мк/сек, вем подложки над узкой щелью, через зависимости от толщины и материалакоторую производят осаждение монополучаемой пленки. При переходе рас-кристаллической пленки, о т л и ч а пущенной пленки с монокристалличес- ю щ и и с я тем, что, с целью покого падения на стекло из-за очень 10лучения бездислокационных пленок с малой толщины подслоя не происходитзаданной кристаллографической ориенразрыва пленки, и она вследствие ма-тацией, подслой наносят на часть полой скорости передвижения продолжа-верхности подложки, а монокристаллиет на стекле свой монокристалличес-ческую пленку осаждают на подслой кий рост.с переходом на подложку.