Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известен магнитный запоминающий элемент на трехотверстпой пластине с управляющими проводниками, пропущеннымп через отверстия пластины. Недостатком такого элемента является большое число управляющих проводников.
Отличием предлагаемого элемепта является то, что разрядный проводник проходит через крайние отверстия в противоположных направлениях, тогда как адреспый проводник проходит через все отверстия - через крайние в одиом направлении, через среднее отверстие- в обратном. В результате этого достигается насыщение указанных перемычек и ограничение разрушения остаточного потока, храиящего ииформацию, при хвелпченип тока опроса. При этом повышается надежность элемента.
На фиг. 1 показан общий вид предлагаемого элемента, на фиг. 2 - вред1енная диаграмма его работы.
В иластине / из ферромагнетика с НПГ, например из феррита, сделаны три отверстия 2, 3 и 4, расположенные в ряд с перемычками одгшаковой ширипы между ними. Разрядный проводник уиравления 5 - проходит через
крайние отверстия 2 и 4. Адресный проводник 6 проходит через все три отверстия, причем через крайние отверстия 2 4 - в одном нанравлении. г через среднее отверстие 3 - в обратном.
Заиись информации в элемент нроизводится следующик образом (фиг. 2). По адресному проводнику 6 иропускают два имиульса тока адресной заинси /аз имеющие противоположные полярностн.
Одновременно с нпмп по разрядному проводнику 5 пропускают импульс разрядного тока tp. полярность которого определяет занпсываемый в элемент код ипформации («1 или «О).
Р1иформация в элементе хранится в виде остаточной намагничеииости материала пластнны вокруг крайних отверстш 2 и 4.
Неразрушающее считывание информащ1и осуществляется при пропускании по проводнпку 6 импульсов тока опроса /Q. Намагничивающая сила тока опроса воздействует на остаточный ноток, хранящий ннформацию, вызывая его обратимые изменения. При этом в разрядной обмотке, используемой в этом случае в качестве выходно, индуктируются выходные сигналы считывания бвых) имеющие форму пар двуполярных импульсов. Сигналы
«1 и «О различаются порядком чередования полярностей импульсов.
При увеличении амплитуды тока онроса to перемычки М.ежду отверстиями 2, 3 и 3, 4 насыщаются, магнитное сопротивлеипе и.х резко возрастает. Это ограничивает увеличение опросного истока, который при этом не в состоянии разрушить остаточный поток вокруг отверстий 2 н 4, чем и обеспечивается сохранность ииформации в предлагаемом элемеите при увеличеиии тока опроса IQ.
Предмет и з о б р с т е и и я
Магиитиый запоминаюиип элемент иа трехотверстной пластине с уиравляющими проводниками, отличающийся ICM, что, с целью повышепия надежности элемента, разрядный проводник ироиуи1еи через крайиие отверстия в противоиоложиых иаиравлеииях, а адресный проводник пропущен через крайние отверстия в одном наиравлении, а через среднее - в противоположном.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1971 |
|
SU296150A1 |
Запоминающая линейка | 1983 |
|
SU1127002A1 |
Магнитное запоминающее устройство | 1974 |
|
SU532132A1 |
МАГНИТНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ | 1973 |
|
SU385315A1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1969 |
|
SU254205A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1975 |
|
SU532898A1 |
Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации | 1974 |
|
SU511629A1 |
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1972 |
|
SU341083A1 |
Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации | 1981 |
|
SU968853A1 |
Магнитный запоминающий элемент | 1974 |
|
SU562002A1 |
Запись
СттыЗдние Стть/Bffws „ /
ff
p,e(ь4
Фиг. 2
Даты
1970-01-01—Публикация