Запоминающая линейка Советский патент 1984 года по МПК G11C11/08 

Изобретение .относится к вычислительной технике и может бьлть использовано в запоминающих устройствах ЭШ. Известна Аапоыкнающая ячейка содержащая ферромагнитную пластину с адресным и разрядными отверстиями прошитыми соответственно адресным и разрядньачи проводниками El 1. Недостатком известной конструкцин линейки является малая величина выходных сигналов, что затрудняет их селекцию и снижает надежность , запоминающей линейки. Наиболее близка к изобретению запоминамщая линейка, содержащая пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ), в которой выполнены две группы адресных отверстий, расположенных с равным и равномерным шагом вдоль краёв властины, и группа разрядных отверстий, расположенных с тем же шагом вдоль продольной оси пластины, причем центры одноименньк адресных отверстий грулв | асположены на линиях, перпендикулярных продольной оси плас тины, адресный и разрядные проводники G 2 1. Сигналы считывания в данной запоминанщей линейке, как правило, имеют малую величину, причем сигналы О и т Имеют одинаковую амплитуду и раз личаются только полярностью. Малая величина сигнала CJИтывaния существенно, затрудняй Селекцию информащ онных сигналов на фоне помех, снижаёт надежность устройства. Цель изобретения - повышение надежности запоютнающей линейки путем увеличения выходного сигнала 1 при считывании инфсфмащш. Поставленная цель достигается тем что в запоминающей линейке, содержащей пластину из феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий, располсженных с равным и равномерным тагом вдоль краев пластины, и группа разрядных отверстий, расположенных с тем же шагом вдоль продольной оси пластины, причем цент ры одноименных адресных отверстий групп расположены на линиях, перпендикулярных продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники, центры разрядных отверстий группы смещены от середины расстояний между линиями располбжения одноименных адресных отверстий групп, одноименные адресные отверстия групп прошитм адресным проводником в одном направлении, а смежные пары одноименных адресных отверстий групп прошиты этим же проводником в противоположных направлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разрядными проводниками.в противоположных направлениях . На чертеже изображена конструкция предложенной запоминаницей линейки. Запоминающая линейка содержит пластину 1 из феррита с ППГ, в которой выполнены две группы адресных отверстий 2 и группа разрядных отверстий 3, причем центры одноименньп адресных отверстий групп 2, расположены на линиях 4, перпендикулярных продольной оси 5 пластины 1, а центры разрядных отве14стий группы 3 смещены от середины 6 расстояний между линиями 4. Адресные отверстия групп 2 прошиты адресным проводником 7 с началом 8 и концом 9, а разрядные проводники группы 3 прошиты разрядными проводниками 10 с началами 11 и концами 12. Линейка работает следующим образом.. Информация в линейку записывается одним из известных способов, используемых в магнитных ЗУ, и фиксируется в виде остаточного магнитного потока разрядных магнитопроводов линейки. При считывании информадаи импульсы Тока считывания, протеканяцие в адресном проводнике 7 от начала 8 к концу 9, создают импульсы магнитного поля в материале пластины 1, окружающем адресные отверстия 2, модулируя (вызывая обратимые изменения) остаточный магнитньй поток разрядных магнитопроводов, в результате чего в разрядных проводниках 10 индуцируются сигналы напряжения. На каждый разрядный магнитопровод с дв5пс сторон оказывают воздействие противоположно направленные магнитные поля пар одноименных адресных отверстий групп 2, между которыми расположено разрядное отверстие 3. Яри этом каждая пара адресных отверстий 2 индицирует в разрядном проводнике 10 сигнал определенной полярности, а результирующий выходной сигнал линейки является разностью этих сиг на ло в. Амплитуда сигнала, индуцируемого в разрядном проводнике 10 полем пары адресных отверстий групп 2, зависит при прочих равных условиях от расстояния между центрами разрядных отверстий 3 и пары ад ресных отверстий 2 (чем меньше расстояние, тем больше сигнал), а также от направления намагниченности разрядного магнитопровода по отношению к направлению поля адресных отверстий 2 (при.одинаковых направлениях сигнал меньше, чем при противоположных) .. Ввиду того, что в предложенной ли нейке линии 13 расположения центров разрядных отверстий 3 смещены относительно середин 6 расстояний мегкду линиями 4 расположения центров одноименных адресных отверстий- 2 (т.е. разрядные отверстия 3 поиближены к одной из двух линий 4, между которыми они находятся), в разрядном проводнике 10 индуцируются сигналы, полярность 1соторых определяется направлением магнитного поля близко расположенной пары адресньк отверстий 2, а амплитуда - расстоянием меж ду разрядным отверстием 3 и адресным отверстиями 2. Эти сигналы, складываясь с информационными (определяемыми направлением остаточной намагни ченности разрядных магнитопроводов) сигналами 1 и вычитаясь из сигналов о,, увеличивают и уменьшают соответственно выходные сигналы 1 и О линейки. При этом полярности сигналов 1 в разрядных проводниках вдоль линейки чередуются вследствие соответствующего чередования Направлений магнитных полей пар адресных отверстий. По этой причине начала 11 и концы 12 разрядных проводников 10 также чередуются вдоль линейки с тем, чтобы полярность считываемых со всех разрядов сигналов 1 была одинаковой, например положительной. Предложенная запоминающая линейка имеет более высокую надежность вследствие возможности расширения области, устойчивой работы (ОУР) при воздействик неблагоприятных факторов (изменения питающих напряжений, температуры окружающей среды, уровня помех и др.). Достигается это за счет большей на 70-80% амплитуды сигнала считывания 1 без увеличения адресного тока считывания. Настолько же расширяется ОУР. Кроме того, можно при сохранении той же ОУР уменьшить ток считьшания на 70-80%, что позволит упростить схему управления ЗУ на базе предложенной линейки.

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЛИНЕЙКА, содержащая пластину из феррита с прямоугольной петлей гистерезиса, в которой выполнены две группы адресилх отверстий, расположенных с равным: и равномерным шагом вдоль краев пластины, и группа разрядны;х отверстий, расположенных с тем же шагом, вдопь продольной оси пластины, причем центры одноименных адресных отверстий групп расположены на линиях, перпендикулярных продольной оси пластины, адресный и разрядные проводники, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности запоминающей линейки путем увеличения выходного сигнала 1 при считывании информации, центры разрядных отверстий группы смещены от середины расстояний между линиями расположения одноименных адресных отверстий групп, одноименные адресные отверстия групп прошиты адресньм проводником в одном направлении, а смежные пары одноименньгх адресных отверстий групп прошиты этим же проводншсом в противоположных направлениях, смежные разрядные отверстия группы прошиты разрядными проводниками в противоположных направлениях.