РАЗРЯД СДВИГОВОГО РЕГИСТРА Советский патент 1970 года по МПК G11C19/36 H03K23/80 

Известны сдвиговые регистры, построенные на туннельных диодах и транзисторах. В известных схемах цепи переноса информации используются или RC-цепи или трансформаторные цепи. Однако построение таких цепей понижает рабочую частоту устройства и усложняет изготовление таких устройств в микроминиатюрном выполнении.

В предлагаемой схеме разряда сдвигового регистра повышение технологичности изготовления при микроминиатюризации достигается тем, что коллектор эмиттерного повторителя подключен к шине запуска регистра, а элтчттер соединен со входом следующего разряда и базой усилительного транзистора, коллектор которого соединен с туннельным диодом, базой эмиттерного повторителя и входом предшествующего разряда.

На чертеже приведена принципиальная схема разряда сдвигового регистра, где: / - вход разряда; 2 - туннельный диод; 3 - резистор; 4 - усилительный транзистор;

5- эмиттерный повторитель на транзисторе;

6- выход к следующему разряду.

Сигнал переноса поступает с аналогичного каскада на вход /. Туннельный диод 2 и резистор 3 образуют двустабильную схему. Источник питания и резистор 3 обеспечивают два устойчивых состояния, одно из которых (состояние высокой проводимости) принимают

за «О, а другое (состояние низкой проводимости) цринимают за «1..

Транзистор 4, включенный по схеме с общим эмиттером параллельно туннельному диоду 2, переключает туннельный диод в состояние высокой проводимости. Транзистор 5 (эмиттерный повторитель), коллектор которого подключен к шине запуска, является схемой «И, так как в коллекторной цепи его действуют импульсы сдвига, а состояние цепи базы определяется состоянием туннельного дио.п,а 2. Если туннельный диод находится в состоянии «О, то действующий в коллекторной цепи сдвиговый и.мпульс не вызывает тока на выходе схемы «И, т. е. ток в цепи эмиттера транзистора 5 отсутствует.

Если диод 2 находится в состоянии «1, то под действием сдвигового импульса на выходе схемы «И появляется сигнал, и происходит

запись «1 через выход 6 в следующую аналогичную ячейку, а диод 2 переключается в состояние «О, так как в цепи базы транзистора 4, а следовательно, и в его коллекторной цепи возникает ток.

На основании предложенной схемы разряда можно построить однотактный сдвиговый регистр или двухтактный сдвиговый регистр на любой код. Для запуска регистра, например, в режиме

туннельный диод 2 в состояние «1, вследствие чего откроется нереход база - эмиттер транзистора 5. При воздействии сигнала запуска сумма токов, протекающих через туннельный диод следующего разряда, превыщает значение пикового тока диода, в результате чего этот диод переключается в состояние «1. Вследствие, переключения туннельного диода в состояние «1 в цепи базы транзистора 4 возникает ток, что приводит к переключению туннельного диода 2 в состояние «О.

Следовательно, под действием одного тактового импульса туннельный диод 2 переключается из состояния «1 в состояние .«О, а туннельный диод следующего разряда переходит из состояния «О в состояние «1, т. е. действ ие каждого импульса вызывает смену устойчивого состояния схемы и это новое состояние сохраняется до прихода следующего сигнала.

Достоинство схемы - в отсутствии реактивных элементов .и возможности ее изготовления в микроминиатюрном исполнении.

Предмет изобретения

Разряд сдвигового регистра, содержащий ячейку памяти на туннельном диоде и транзисторный усилитель, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности изготовления при микроминиатюризации, коллектор эмиттерного повторителя соединен с шиной запуска регистра, а эмиттер - со входом следующего разряда и базой усил.ительного транзистора, коллектор которого соединен с туннельным диодом, базой эмиттерного повторителя и входом предшествующего разряда.