ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ ТОКА Советский патент 1970 года по МПК H03K5/01 

Предлагаемый формирователь импульсов тока предназначен для работы в магнитном оперативнолг запоминающем устройстве (МОЗУ) электронных вычислительных машин и может быть использован в адресной или разрядной части запоминающего устройства. Известиы формирователи импульсов тока, содержащие диодно-трансфорлаторный клапан и транзисторный ключ. Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем коллектор транзистора через последовательно соединенные вторичную обмотку трансформатора, диод и резистор подключен к эмиттеру эмиттерного повторителя. Это повышает надежность работы устройстНа чертеже показана схема формирователя импульсов тока. Формирователь импульсов тока состоит из токового ключа на мощном транзисторе /, диодно-трансформаторного клапана (трансформатор 2 и диод 3) и формирующей длительность импульса цепочки, включающей э.миттерный повторитель на транзисторе 4, диод 5 и обмотку 6 трансформатора 2. Нагрузка 7 формирователя включена в цепь коллектора токового ключа, балластный резистор 8 для задания амплитуды тока включен в цепь эмиттера. К коллектору транзистора / подсоединен один конец обмотки 6 трансформатора 2, другой конец этой обмотки соединен с анодом диода 5, а катод этого диода соединен последовательно с ограничительным резистором 9, второй конец которого подключен к эмиттеру транзистора 4. Диодно-трансформаторный клапан образован последовательным соединением диода .3 и первичной обмотки 10 трансфор.матора, причем анод диода связан со в.ходом /, а другой конец обмотки - со входом //. База транзистора 4 подключена ко входу / через ограничивающий резистор 1L Демпфирующая цепочка, состоящая из диода 12 и резистора 13, подключена параллельно первичной обмотке 10 трансформатора 2. При одновременном поступлении положительного запускающего импульса на вход / п отрицательного потенциала на вход // по первичной обмотке W трансформатора протекает ток. Наведенный на обмотке 14 отрицательный импульс напряжения открывает транзистор /. причем ал плитуда этого импульса достаточна для обеспечения ремхима насыщения транзистора. Потенциал коллектора открытого транзистора / определяется суммой падений напряжения на балластном резисторе S и на транзисторе / или разностью между напряжением питания и падением напряжения на нагрузке.