ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ДВУХОТВЕРСТНОМ ТРАНСФЛЮКСОРЕ Советский патент 1970 года по МПК G11C11/06 

1

Предложенный элемент памяти может быть использован в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Известны элементы памяти на двухотверсгных трансфлюксорах из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, работающих s режиме частичного перемагничивания.

Основной недостаток подобных элементов заклю-чается в невысокой линейности характеристики накопления (N), (где и-амплитуда импульса, снимаемого с выходной обмотки трансфлюксора, Л - число запоминаемых импульсов), которая имеет место вследствие неидеальной прямоугольности петл-и гистерезиса магнитного материала, конечных размеров трансфлюксора и других причин.

Предложенный элемент памяти отличается тем, что IB нем выходная обмотка трансфлюксора соединена с его нагрузкой через четырехполюсник, выполненный по схеме интегрирующий RC-цепочки с изменяющейся постоянной времени.

Это позволяет линеаризировать характеристику накопления.

На фиг. 1 дана схема элемента памяти; на Лиг. 2 - характеристика накопления трансфлюксора; на фиг. 3 - характеристика RC-цепочки.

Больилое отверстие трансфлюксора, выполненного из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, пронизывают обмотка / установки в исходное состояние, входная обмотка 2 и обмотка 3, шунтированная сопротивлением 4. Малое отверстие пронизывают обмотка опроса 5 и выходная обмотка 6.

Е предложенном элементе памяти информация нредставляется импульсами тока. По обмотке / перед записью информации подается имцульс тока, устанавливающий трансфлюксор в состояние, соответствующее записи «О. Затем на обмотку 2 ноступает А импульсов тока. Неразрушаемое считывание осуществляется подачей биполярной импульсной последовательности в обмотку опроса 5. При этом в выходной Обмотке 6 наводятся импульсы напряжения, амплитуда U которых зависит от числа входных импульсов.

Эффект линеаризации характеристики накопления в некоторого диапазоне выходных значений имеет место в результате соответствующего подбора характеристики интегрирующей RC-цепочки, состоящей из диода 7, сопротивления 8 и конденсатора 9. Диод 7, включенный в проводящем направлении, представляет собой в данном случае нелинейное сопротивление, величина которого в области

жения. Сопротивление 8 служит для коррекции характеристики диода 7.

Выходная характеристика накопления элемента памяти линеаризуется с достаточной степенью точности. Это достигается включением нелинейного четырехполюсника с характеристикой, компенсирующей нелинейность выходной характеристики трансфлюксора.

Выходное напряжение элемента памяти располагается в диапазоне О-1,3 в, а приращгние выходного напряжения, АС/вых- соответствующее единице записываемой информации (одному импульсу на .входе) составляет 30 мв.

Предмет изобретения

Элемент памяти «а двухотверстном трансфлюксоре из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, содержащий обмотки входную, установки в исходное состояние, опроса, выходную и обмотку, щунтированную резистором, отличающийся тем, что, с целью линеаризадии характеристики накопления элемента, выходная обмотка трансфлюксора соединена с нагрузкой через четырехполюсник, выполненный но схеме интегрирующей RC-цепочки с изменяющейся постоянной времени.

У --i- -i-M i ,.. iI Г-:;

7 fwc

30flO /V

Фиг. 3