НАКОПИТЕЛЬНАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАТРИЦА Советский патент 1972 года по МПК G11C11/06 

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для решения задач классификации, идентификации, обработки экспериментальных данных, имеющих значительный статистический разброс.

Известны накопительные структуры матричного типа, построенные на тороидальных сердечниках и трансфлюксорах. Они характеризуются незначительной логической гибкостью и нелинейной зависимостью выходного параметра выбранного элемента от числа воздействий, поступивших на него.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей и упрощение накопительной матрицы.

Это достигается тем, что одно из выходных отверстий каждого трансфлюксора прошито координатными шинами считывания и выходными шинами. На неразветвленной перемычке трансфлюксора расположены обмотка управления и обмотка сброса, соединенная последовательно с обмотками сброса остальных трансфлюксоров. Каждый тороидальный сердечник прошит координатными шинами записи и шиной смещения, а выходная обмотка каждого тороидального сердечника соединена с обмоткой унравления соответствующего трансфлюксора.

копительной характеристики элементов матрицы, в другом выходном отверстии каждого трансфлюксора расположены дополнительные обмотки записи, смещения и выходная, включенные носледовательно с одноименными шинами и обмотками соответствующего тороидального сердечника, а также дополнительная короткозамкнутая обмотка.

Pia фиг. 1 показана структурная схема матрицы; на фиг. 2 - схема накопительного элемента; на фиг. 3 - программа импульсов управления; на фиг. 4 - усовершенствованная схема накопительного элемента.

Накопительная логическая матрица (фиг. 1)

представляет собой правильную двумерную решетку с узлами и ребрами. В узлах решетки расположены накопительные элементы. Ребрами решетки являются координатные проводники.

Накопительный элемент содержит трансфлюксор / и тороидальный сердечник 2. изготовленные из ферромагнитного материала с прямоугольной петлей гистерезиса. Информационное отверстие трансфлюксора прошито

двумя координатными щинами 3 и 4 считывания и двумя выходными щинами 5 и 6. Большое отверстие трансфлюксора прошито шиной 7 сброса. На неразветвленную перемычку трансфлюксора нанесена обмотка 8 унравленатными шинами 9 и W записи и шиной 11 смещения. Оба конца выходной обмотки 12 тороидального сердечника подключены к обмотке управления трансфлюксора.

Координатные шины каждого накопительного элемента соединены последовательно-согласно с одноименными шинами других накопительных элементов, расположенных вдоль каждой координатной оси. Шины смещения и сброса всех элементов накопительной матрицы соединены последовательно.

Матрица функционирует в две стадии. На первой стадии - стадии накопления информации - на шины 9, 10 W. 11 подаются импульсы 13, 14 и 15 токов соответственно (фиг. 3), параметры которых выбраны таким образом, что под действием м. д. с., создаваемой этими токами, тороидальный сердечник выбранного элемента перемагничивается по полному циклу петли гистерезиса, и на его выходной обмотке индуцируются импульсы напряжения с равной вольт-секундной площадью и противоположной полярностью. Под действием этих импульсов на обмотку 8 магнитный поток трансфлюксора изменяется ка величину АФ. На тороидальные сердечники невыбранных и полувыбранных элементов воздействует однополярная м.д. с. и изменения магнитного потока трапсфлюксора не происходит.

Записанный магнитный поток Фз трансфлюксора выбранного элемента после п воздействий на него

Фз Фв + 2АФ

где Фо - начальное значение Фз.

Величина выходного параметра , где d - коэффициент пропорциональности. При Фо 0 W в пределах нормированной области изменяется от О до 1.

Анализ процесса записи магнитного потока трансфлюксора и экспериментальные характеристики накопительных элементов показывают, что зависимость W от числа воздействий с достаточно большой степенью точности имеет линейную зависимость при коэффициенте накопления, достигающем нескольких сотен. Для улучщения линейности накопительной характеристики элемента использован расщепленный участок 16 магнитопровода трансфлюксора (фиг. 4) в качестве магнитопровода обратной

связи. С этой целью на трансфлюксор нанесены координатные шины 17 и 18 записи, шина 19 смещения и выходная обмотка 20, включенные последовательно с одноименными шинами и обмоткой тороидального сердечника.

В результате увеличения потока обратной связи величина приращения магнитного потока увеличивается, а накопительная характеристика элемента приобретает строго линейную

зависимость при выбранном коэффициенте обратной связи. Величину коэффициента обратной связи меняют изменением сопротивления короткозамкнутой обмотки 21, нанесенной на трансфлюксор.

Информация с накопительной логической матрицы может быть снята как с одного элемента, так и со всех элементов, расположенных на координатной оси.

Предмет изобретения

1.Накопительная логическая матрица, состоящая из однотипных элементов, содержащих тороидальный сердечник с обмотками записи и выходной трансфлюксор с несколькими выходными отверстиями и обмотками, отличающаяся тем, что, с целью расщирения функциональных возможностей и упрощения

конструкции, одно из выходных отверстий каждого трансфлюксора прошито координатными шинами считывания и выходными шинами, на неразветвленной перемычке трансфлюксора размещены обмотка управления и

обмотка сброса, соединенная последовательно с обмотками сброса остальных трансфлюксоров, каждый тороидальный сердечник прошит координатными шинами записи и шиной смещения, а выходная обмотка каждого тороидального сердечника соединена с обмоткой управления соответствующего трансфлюксора.

2.Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью повышения линейности накопительной характеристики элементов матрицы, в другом

выходном отверстии каждого трансфлюксора расположены дополнительные обмотки записи, смещения и выходная, включенные последовательно с одноименными шинами и обмотками соответствующего тороидального сердечника, а

также дополнительная короткозамкнутая обмотка.

2