Способ контроля качества полупроводниковых приборов Советский патент 1976 года по МПК G01R31/26 

(54)СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Изобретение относится к способам нераэрушающего контроля надежности и качества полупроводниковых приборов.

Известны различные способы неразруша- ющего контроля качества полупроводниковых приборов: peHTjековский способ, инфракрасная дефектоскопия и измерение шумовых параметров.

Способ шумовых параметров является наиболее б-пи-зккм по назначению и возможноетям к предлагаемому способу контроля качества полупроводниковых приборов.

Недостатком известпого способй является недостаточно точное прогнозирование отсутствия аппаратуры, измеряющей шумовые параметры полупроводниковых приборов с требуемой чувствительностью.

Цель предлагаемого иээбретения - осущеставление более точного ирогноза отказов транзисторов и диодов при их длительной работе, сравнения различных .производственных партий транзис-TDpcfi и диодов одного типа.

ПРИБОРОВ

диапазоне до 100 мка при прямом и инверсном включении эмиттирующего перехода 1фибора.

Предлагаемый Ci;aco6 неразрушающего контроля качества полупрозодникового прибора заключается в следующем. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов решается определением параметров гп и т.,,чувствительных к качеству поверхности эмиттерного и коллекторного переходов, и определением диапазона микротоков, содержащего наибольшую информацию о качестве переходов, где производятся измерения этих параметров при сохранении CTpyiiTyp.

Параметр гп был ранее известен в литературе, п аметрт. предложен вновь для контроля качества коллекторного перехода.

В основу предлагаемого способа положен приближенное уравнение прямого тока через

переход

тики полного тока через переход при прямы, смещениях. Величина m - функция прямого смещения: при номинальных режимах работы прибора (где преобладает диффузионный ток) m -1; если смещение уменьшить до вели- g чины менее 10О мка (где преобладает рекомбинационный ток), то величина m возрастает до значений более единицы, а в случае, например, инверсии поверхности или канального эффекта, величина m становится 0 более двух.

Таким образом, по значениям коэффициента т измеренного в определенном диапазоне микротоков, можно получить информацию о состоянии поверхности перехода или о 15 дефектах структуры.

С целью более точного прогноза полупроводниковых приборов определен диапазон микротоков, который содержит наиболее полную информацию о качестве поверхности, и 20 предложены коэффициенты т и т для

оценки качества эмиттерного и

коллекторного переходов соответственно.

Оценку качества транзистора производят при прямом включении и инверсном включении эмиттирующего перехода прибора.

Оценку качества диода производят при прямом включении по коэффициенту т.

Формула изобретения

Способ контроля качества полупроводниковых приборов, заключающийся в измерени токовых характеристик р-п -переходов и сравнений их с эталоном, отличающийся тем, что, с целью более точного прогнозирования отказов при сохранении структур, измерения ведут на микротоках в диапазоне до 1ОО мка при прямом и инверсном включении эмиттирувдщего перехода прибора.