СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА Советский патент 1970 года по МПК H01L21/78 

Изобретение относится к технологии изготовления фотоэлектрических генераторов.

Известен способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора путем коммутации фотопреобразователей с р-гапереходами, параллельными падающему излучению, в твердотельную матрицу и создания на рабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии дополнительных р-rt-переходов, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению. Генератор, получаемый этим способом, состоит из микрофотопреобразователей с р-и-переходами на трех гранях, скоммутированных в твердотельную матрицу, и имеет к.п.д. около 40% при монохроматическом излучении с длиной волны 1 мк для кремния. Недостатком данного способа является трудность коммутации и сборки готовых матриц для получения фотоэлектрического генератора с большой плотностью р-п-переходов на единицу рабочей площади генератора (до 100 р-«-переходов на 1 сж).

Предлагаемый способ является дальнейшим развитием и усовершенствованием известного и дает возможность получить генератор с максимальным к.п.д. преобразования монохроматического излучения порядка 80%.

собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости р-га-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у всех матриц, входящих в состав заготовки. Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р-«-переходов на твердотельные блоки, у которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверхности. На готовых блоках создают дополнительные р-га-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки. Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контактов, просветления и нанесения защитного покрытия.

Описываемый способ позволяет получать твердотельную матрицу с плотностью размещения р-га-переходов выше 100 на 1 см рабочей поверхности и максимальным к.п.д. преобразования монохроматического излучения порядка 80%. При этом полностью механизируются операции сборки и коммутации твердотельных матричных генераторов, состоящих

из микрофотопреобразователей с р-га-переходами на трех гранях. Кроме того, появляется возможность коммутировать в твердотельной матрице микрофотопреобразователи, выполненные в виде микроминиатюрных паралледами на четырех, пяти, шести и более гранях. При этом линейные размеры микрофотопреобразователей соизмеримы с удвоенной диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области микрофотопреобразователеи.

Предмет изобретения

Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора, состоящий -в том, что получают твердотельные матрицы из

скоммутированных микрофотопреобразователей с р-л-переходами на трех гранях, отличающийся тем, что, с целью получения фотоэлектрического генератора с к.п.д. порядка 80%

для монохроматического излучения, матрицы с микрофотопреобразователями соединяют в многослойную структуру, разрезаемую затем на плоские блоки перпендикулярно плоскости р-д-переходов с последующим созданием посредством диффузии примесей дополнительных р-п-переходов на одной или двух рабочих поверхностях блока.