Настоящее изобретение относится к технологии получения фотоэлектрических генераторов.
Известен способ изготовления фотоэлектрического генератора созданием р-«-переходов с трех сторон пластины полупроводникового материала, присоединением омических контактов к р- и л-областей и коммутацией полученных таким образом отдельных фотопреобразователей между областями с одноименным или разноименным типом проводимости. При этом каждый фотопреобразователь, входящий в фотоэлектрический генератор, проходит полный технологическим цикл обработки и контроля параметров. Недостатком этого способа является большая трудоемкость изготовления отдельных фотопреобразователей и коммутации их. Фотоэлектрический генератор, полученный этим способом, имеет больщие размеры и малые рабочее напряжение и ток.
Предлагаемый способ позволяет получить микроминиатюрный фотоэлектрический генератор с рабочим напряжением 50 ejCM и более при рабочем токе более 10 площади р-л-перехода.
Для этого фотопреобразователи с р-п-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на
рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов.
Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.
Согласно описываемому способу пластины с р-л-переходами соединяют в заготовки так, чтобы плоскости р-п-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р-п-переходов. После полировки и снятия шунтов пластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р-л-переходами, расположенными параллельно падающему излучению. На рабочих поверхностях
готовой матрицы создают диффузией дополнительные р-л-переходы, плоскость которых перпендикулярна падающему излучению.
Таким образом, все фотопреобразователи проходят одновременно полный технологический цикл обработки и контроля от коммутации р-«-переходов до создания р-л-переходов, например, методом ионной бомбардировки в скоммугированной готовой матрице.
25
Предмет изобретения
1. Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора созданием фотопреобразователей с р-л-переходами на 30 трех сторонах и омическими контактами с по3следующей коммутацией областей с одноименными или разноименными типами проводимости, отличающийся тем, что, с целью получения микроминиатюрного фотоэтектрического генератора с рабочим напряжением5 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площади р- -перехода, фотопреобразователи с р-«-переходами, параллельны4ми падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием на пабочих поверхностях готовой матрицы посредством диффузии примесей дополнительных р-гг-переходов. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.
