Известные конструкции RC-структур с неоднородными распределенными параметрами не позволяют получить малые габариты и паразитные емкостные связи между RC-структурой и другими элементами микроблока.
В предлагаемой конструкции RC-структуры уменьшение габаритов и паразитных связей достигается тем, что на резистивную пленку нанесены диэлектрическая и проводящая пленки, образующие дополнительную распределенную емкость, обкладка которой соединена с обкладкой основной емкости.
На чертеже изображена RC-структура с неоднородными распределенными параметрами.
RC-структура содержит резистивную 1, диэлектрическую 2 и проводящую (обкладку) 3 пленки и диэлектрическую 4 и проводящую 5 пленки, образующпе дополнительную распределенную емкость.
Начало проводящей пленки 5 совмещено с началом резистивной пленки, причем длина этой пленки мепьще длины RC-структуры.
Избирательность RC-структуры зависит от соотношения удельных емкостей конденсаторов, образуемых пленками 5 и 3, и от соотношения длин этих пленок.
Предмет изобретения
RC-структура с неоднородными распределенными иараметрами, выполненная в виде чередующихся резистивного, диэлектрического и проводящего слоев, отличающаяся тем, что, с целью уменьщення иаразитных емкостиых связей между RC-структурой и другим элементами в микроблоке, уменьщения габаритов RC-структуры, на резистивный слой нанесены диэлектрическая и проводящая пленки длиной короче длины всей структуры, образующие дополнительную распределенную емкость, обкладка которой соединена с обкладкой основной емкости RC-структуры.
Вхо
8b/xoff
