RC-СТРУКТУРА С НЕОДНОРОДНЫМИ РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПАРАМЕТРАМИ Советский патент 1973 года по МПК H01G4/40 H01L49/02 H01C7/18 

1

Изобретение относится к области радиотехники и может быть иснользовано в RC-генераторах, фильтрах низкой частоты, частотно-избирательных RC-фильтрах и т. д. в микроэлектронном иснолнении.

По основному авт. св. № 289450 известна RC-структура с неоднородными параметрами.

Крутизна частотных характернстик известной RC-структуры недостаточно высокая, так как вдоль длины RC-структуры неоднородным параметром является только распределенная емкость.

С целью увеличения крутизны частотных характеристик, на резистивный слой RC-структуры нанесена укороче1Н1ая резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической пленки, расположенной над ней.

На чертеже изображена схема RC-структуры.

RC-структура содержит резистивный слой /, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки и 5 и дополнительную резистивную пленку 6, расположенную между елоем / и диэлектрической пленкой 5.

Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сонротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора RC-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик RC-структуры.

Крутизна частотных характеристик предлагаемой RC-структуры зависит от длины слоя 1, нленок 2, 4 и пленок 3, 5, 6, от соотношения удел1)Ных емкостей, образуемых слоем 1 и нленкой 2 и нле1н ами 5, 6, и от соотнонления относительных удельных сопротивлений резистивной пленки в зоне и вне зоны перекрытия.

Напыление дополнительной резистивной нлепки 6 (толщиной не более единиц микрон) значительно улучшает крутизну частотных характеристик RC-структуры при тех же габарнтлх.

Предмет изобретения

RC-структура с неоднородными распределенными параметрами по авт. св. № 289450, отличаюцаяся тем, что, с целью увеличения крутизны ее частотных характеристик, па резистивный слой RC- структуры нанесена укороченная резистивная пленка, которая образует дополнительное распределенное сопротивление и длина которой равна длине диэлектрической пленки, расположенной над ней.

ВхоВ

Выход