ПОТЕКА 1 Советский патент 1971 года по МПК H03F1/02 

Известны транзисторные усилители.

Цель изобретения - повышение к.п.д., увеличение выходной мощности и улучшение температурной стабильности.

Для этого между полупроводниковым телом транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь эмиттера в таком направлении, что проходящий по ней ток вызывает охлаждение полупроводникового тела транзистора.

На чертеже изображен предлагаемый усилитель.

Корнус транзистора У крепится к холодному спаю термобатареи 2, которая горячим спаем прикреплена к радиатору 3. Термобатарея включена последовательно в цепь эмиттера транзистора и ее без значительного изменения габаритов транзистора можно разместить в корпусе транзистора - холодным спаем -к телу коллектора, горячим - к корпусу транзистора. В этом случае корпус транзистора крепится к радиатору.

Усилитель работает следующим образо.м.

Постоянная составляющая тока эмиттера, проходя через термобатарею, создает перепад температуры до 30°С между спаями термобатареи, благодаря чему полупроводник транзистора охлаждается и его температура может быть ниже температуры окружающей среды.

Хорошее отведение тепла от полупроводника транзистора позволяет повысить мощность, рассеиваемую на транзисторе, и, следовательно, повысить отдаваемую мощность. С увеличением температуры среды активное сопротивление термобатареи возрастает, и падение .напряжения на ней увеличивается не только изза роста с температурой тока эмиттера, но и из-за увеличения сопротивление термобатареи. Таким образом термобатарея не только охлаждает транзистор, но и стабилизирует его режим работы как нелинейный элемент. Кроме того, на спаях тер.мобатареи появляется термо-э. д. с., которая зависит от перепада температуры между спаями термобатареи и, следовательно, от тока эмиттера.

Эта термо-э. д. с. приложена между эмиттером и базой так, что дополнительно стабилизирует режим работы транзистора. Суммарное стабилизирующее воздействие термобатареи оказывается более качественным, чем термостабил-изация тремя резисторами и по качеству приближается термостабилизации четырьмя резисторами.

Таким образом, охлаждая транзистор и стабилизируя режим его работы за счет нелинейности сопротивления и термо-з. д. с. термобатарея обеспечивает увеличение отдаваемой мощности и стабильный коэффициент передачи по мощности а широком диапазоне температуры среды. Предмет изобретения Транзисторный усилитель, отличающийся тем, что, с целью повышения к. п. д., увеличения выходной мощности и улучшения температурной стабильности, между полупроводниковым телом транзистора и его корпусом встроена полупроводниковая термобатарея, электрически включенная последовательно в цепь эмиттера в таком -направлении, чтобы проходящий -по ней ток вызывал охлаждение полупроводникового тела транзистора.

1У

лшт