ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ Советский патент 1971 года по МПК G01L9/12 

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Иэвест1ны датчики давлений, содержащие Kopinyc, чувствительный элемент, штак и электромеханический преобразователь с тензо|резисторами. В качестве теезорезисторов используются проволоЧНые или неортаничеокие полу1Провод:никовые тензорези1ст.ив«ые датчики. Основным недостатком дроволочвых тензорезисти1В-ных датчиков является их «изкая танзочувствителыность. Полупроводниковые неортаничеокие тензорезистивные датчики обладают 1ПО сравнению с П|ров-олоч«ыми повышенной тензочувствительностью, однако они в то же время обладают и значительно более высокой термозависимостью, что снижает точность измерений и часто приводит к нввоэмюжности их И1спользо1ва1ния в контрольно-измерительной технике. Кроме того, трудность получения и подбора образцов тензодатчиков с одинаковыми значениями начальных сопротивлений и тензочувствителыностей не позволяет сиитезировать высокоточные электрические измерительные цепи. Эта |цель достигается тем, что тензорезисторы выполнены на основе органических полупроводников, а именно комплексных ион-радикалиных солей тетрацианхинондИМетана с различными алиил- и аралкилзамещенньими бисчетвертичнЫМи катионами фенантролиивя и дихинолиния, причем эти соли содержат в качестве нейтральной молекулы молекулу иода. На фиг. 1 показана схема предлагаемого датчика с органическими тензорезисторами. Датчвк состоит из корпуса /, с которым л.естко связан чувствительный элемент (|мембрана) 2. Подвижный центр чувствительного элемента - шток 3 связан с электрамехани1чеаким преобразователем 4 в виде танзометричеокой пружины с наклеенными на нее тензорезисторами 5. Образцы тензорезисторов могут быть получены путем прессования органического полупроводникового материала. Электрические контакты могут быть впрессованы в тензочувствнтельный элемент или осуш,ествлены с помош,ью токопроводящего клея. Ра-бота датчика заключается в преобразовании давления Р в электрический сипнал тензометрического моста.