БСЕСОЮЗНАМ InATEHTHO-TEXKJISECHAHlБИ5 Советский патент 1971 года по МПК H03K19/21 

Устройство нредназначено для иснользования в быстродействующей цифровой вычислительной технике.

Схемы совнадений на диодах Ганна, содержащие соединенные параллельно и нагруженные на общий резистор один выходной и два или более входных диодов, известны.

К недостаткам известных схем совнадений относится малая величина области работоснособности, жесткие требования к допускам на параметры диодов и малое быстродействие.

Предложенная схема совпадений отличается от известиых тем, что часть новерхностн входных диодов иокрыта диэлектриком с высокой диэлектрической ироницаемостью, например BaTiO.3.

Это увеличивает область работоснособпости и быстродействия схемы и позволяет ослабить требования к допускам на параметры диодов.

На фиг. 1 приведена схема совиадений на диодах Ганна; на фиг. 2 показана форма тока в обычном диоде Ганна (Л) и в диоде с участком диэлектрического покрытия ().

Схема совпадений состоит из трех или более одинаковых диодов Ганна, из которых один является выходным 1, а остальные 2 и 3 - входными. Входные диоды имеют участки с диэлектрическим покрытием 4 и 5, нанример BaTiO.3. Диоды соединены параллельно и нагружены на общий резистор 6. Па

входные диоды подаются за пуска юпи1е пульсы.

Запускаюпи1е импульсы возбуждают во входных диодах домены спльпого тока, которые образуются вблизи катода и движутся но направлепню к аноду. При этом ток через днод изменяется так, как показано на фиг. 2. При одповременпом поступленнн запускающих импульсов на оба входа уменьшение тока входных диодов во время прохождения доменов мнмо участка с диэлектрическим покрытпем вызывает увеличение тока в выходном диоде, достаточное для возбуждення в нем домена. При прохождении домена MH:IIO диэлектрического покрытия форма тока соответствует участку аб на кривой Б. По чертежу видно, что oTHonjeHiie

определяющее

мин

величину области работоспособности, может быть зпачнтельно увеличено. Разрешаюп1ее время предлагаемой схемы совпаденнй нрнблпзительио равпо времени прохождения домепа мимо участка с диэлектрическим покрытием и может быть сведено к малой величине.

Предмет изобретения

два или более входиых диодов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения области работоспособноети, ослабления требований к доиускам на параметры диодов и повышения

быстродействия,часть поверхиости входиых

диодов нокрытадиэлектриком с высокой диЗЛектрическойнроницаемостыо, ианример ВаТЮз.

f

TAJ