СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ МИКРОРИСУНКОВ Советский патент 1971 года по МПК G03F7/26 H05K3/06 

Изобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.

Известен способ получения рельефных микрорисунков, заключающийся в селективном экспонировании фоторезиста излучением оптического квантового генератора и термическом задубливании облученных участков резистивного слоя.

Для совмещения операций экспонирования и задубливания предлагается нанести под фоторезист подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора (СЗКГ), а длину волны излучения выбирать в области нрозрачности фоторезиста. Это обеспечивает селективный нагрев подслоя и косвенный селективный нагрев фоторезиста, лежащего над ним, а также практически мгновенное термическое задубливание по определенному рисунку.

Предлагаемый снособ состоит в следующем.

На материал, в котором необходимо получить требуемый микрорельеф, наносят подслой, не прозрачный для луча ОКГ. Затем, покрыв подслой фоточувствительным слоем - фоторезистом, производят экспонирование через трафарет импульсом ОКГ, проецирующим

на слой фоторезиста требуемое изображение. Длина волны излучения лежит в области прозрачности фоторезиста.

Во время экспонирования происходит селективное облучение фоторезиста, обеспечивающее его селективное растворение, и за счет энергии, выделяющейся по рисунку в подслое, одновременно задубливается засвеченный резист. Затем растворителем вымывают незаэкспонированный фоторезист, и на поверхности материала образуется рельефный рисунок. Мощность луча лазера подбирают так, чтобы не новредить исходный материал, находящийся под фоторезистом.

15

Предмет изобретения

Снособ получения рельефных микрорисунков, заключаютцийся в селективном экспонировании фоторезиста излучением оптического квантового генератора, термическом задубливанин облученных участков резистивного слоя, отличающийся тем, что, с целью совмещения операций экспонирования и задубливания, под фоторезист наносят подслой из материала, оптически не прозрачного для излучения оптического квантового генератора, а длину волны излучения выбирают в области прозрачности фоторезиста.