МТЕЙТШ-ИХНИ-г :кдЯ|БИБЛИОТЕКА Советский патент 1971 года по МПК H03K3/282 

Изобретение относится к области импульсной техники, в частности к управляемым мультивибраторам, и может быть использовано в узлах, где требуется линейная зависимость длительности паузы между импульсами от управляющего электрического сигнала.

Известны несимметричные управляемые мультивибраторы на транзисторах р-п-р с эмиттерной связью, содержащие зарядный транзистор типа п-р-п и изолированный источник питания.

Однако в известных устройствах затруднено линейное регулирование длительности паузы между импульсами с помощью электрического сигнала.

С целью линейнего регулирования длительности паузы между импульсами в предлагаемом мультивибраторе в общую эмиттерную цепь транзисторов мультивибратора включается коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора типа р-п-р, на базу которого подается управляющее напряжение.

На чертеже дана схема предлагаемого устройства.

Несимметричный управляемый мультивибратор содержит усилительный каскад с общим эмиттером на транзисторе / и усилительный каскад с общим коллектором на транзисторе 2. В цель заряда времязадающего конденсатора 3 Включен транзистор 4, заряжающий конденсатор 3 коллекторным током, что обеспечивает линейную зависимость напряжения на конденсаторе 3 от времени заряда. Напряжение положительной обратной связи выделяется на общей для транзисторов 1 к 2 эмиттерной нагрузке, которой является транзистор 5. Схема подключена к источнику питания 5, имеющему отрицательный полюс а и положительный полюс б относительно общего

полюса в.

При подаче на схему напряжений питания потенциал эмиттера транзистора 5 оказывается более положительны.м, чем потенциал его базы. На коллекторе транзистора 5 устанавливается потенциал, определяемый напряжением с.мещения, поступающим от источника питания через сопротивление 7, и управляющим сигналом Lynp. Потенциал базы транзистора 1 в этот момент близок к потенциалу

полюса в источника питания, транзистор / закрыт, на его коллекторе, а следовательно, и на эмиттере транзистора 2 устанавливается напряжение, почти равное напряжению источника питания. Времязадающий конденсатор 3,

напряжение которого изменяется прямо пропорционально времени заряда, начинает заряжаться коллекторным током транзистора 4 до напряжения срабатывания релаксационной схемы, примерно равного напряжению на колнапряжения на конденсаторе 3 порога срабатывания транзистор 1 открывается и в результате действия обратной связи лавинообразно переходит в состояние насыщения. Конденсатор 3 разряжается через переход база-эмиттер транзистора / коллекторным током транзистора 5. При уменьшении тока разряда конденсатора 3 до величины, недостаточной для удержания в состоянии насыщения транзистора 1, последний переходит в активный режим и в результате действия обратной связи закрывается. Далее цикл повторяется. Изменение длительности паузы между импульсами происходит с изменением напряжения на коллекторе транзистора 5, т, е. с изменением максимального напряжения, до которого линейно чо времени заряжается времязадающий конденсатор 3. Напряжением смещени, подаваемым через сопротивление 7, транзистор 5 выводится на линейный участок работы, при этом изменение коллекторного напряжения

транзистора 5 прямо пропорционально управляющему сигналу.

Таким образом, линейное регулирование длительности паузы между импульсами осуществляется с помощью управляющего электрического сигнала.

Предмет изобретения

Несимметричный управляемый мультивибратор на транзисторах р-п-р типа с эмиттерной связью, содержащий зарядный транзистор п-р-п типа и изолированный источник питания, отличающийся тем, что, с целью линейного регулирования длительности паузы между импульсами, в общую эмиттерную цепь транзисторов мультивибратора включен коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора р-п-р типа, на базу которого подано управляющее напряжение.

а