СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ИНТЕНСИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯБЕТАТРОНА Советский патент 1971 года по МПК H05H11/00 

Изобретение может быть применено на индукционных ускорителях электронов - бетатронах любых ТИПОВ.

Одной из основных характеристик магнитного поля бетатрон-а является коэффициент спада ма-гиитного поля п. Наилучшие условия захвата электронов в режим ускорения возникают в том случае, когда коэффициент п в момент инжекции имеет в р.айоне нахождения строго фиксированное значение. Для воздействия на коэффициент п в момент инжекции на бетатронах устанавливаются витки, расположенные на радиусе равновесной орбиты над и нод ускорительной камерой, либо по всей окружности, либо на большей части длины.

Однако эти способы не обеспечивают раздельного воздействия на коэффициент п ,в зоне нахождения инжекто|ра, так как действие витков усредняется между зоной расположения инжектора и зоной рабочей области по всей или большей части окружности радиуса равновесной орбиты.

Цель изобретения заключается в повышении интенсивности излучения на бетатронах путем создания наилучших условий захвата электронов в режим ускорения.

спада магнитного поля в небольшой зоне расположения инжектора. Дополнительное поле, созда-ваемое нри пр.именении этого способа повышения интенсивности излучений, обеспечн1вает необходимое значение я при инжекции и помо1ает ускоренным электронам обход1ггь инжектор, что предотвраш,ает потери электронов от столкновения с инжектором, которые особенно велики на первых оборотах.

На чертеже изобрал ;епа схема, поясняющая предлагаемый способ.

На чертеже показаны виТКи и их расположение на ускорительной камере / в рабочем

зазоре бетатрона. Четыре витка 2 наклеены на сектор, вырезанный из кабельной бумаги 3, и последовательно соединены с такими же четырьмя витками, наклеенными на сектО|р из кабельной бумаги. Количество витков и их

размеры выбраны так, чтобы создать дополнительный поток, необходимый для изменения п на требуемую величину. Витки расположены на радиусе, большем радиуса равновесной орбиты Vn в зоне расположения инжектора

и занимают ио азимуту около 20° неносредственно от патрубка 4 инже:КтО|ра в направлении движения ускоряемых электронов, т. е н нанравленни к патрубку 5 мишен. Витки бандажируются на верхней и нижней стороне ускоПредмет изобретения

Способ ловышеиия интенсивности излучения бетатрона путем воздействия на коэффициент спада магнитного поля при инжеюции,

, отличающийся тем, ч1о корректируют коэффициент спада магнитного поля в зоне расположения инжектора на азимуте не более 20°, изменяя величину тока в корректирующих 5 витках.

270