СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТОСТРИКЦИОННЫХ СВОЙСТВ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК Советский патент 1972 года по МПК G01R33/18 

Изобретение относится к технике измерения магнитных свойств образцов малых сечений, а более точно - к способу измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок с круглой осью анизотроПИИ.

Известен способ измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок с круглой осью анизотролии по изменению величи-ны анизотропии механически нагруженцого образца относительно ненагруженного.

Недостатком та«ого способа является его низкая чувствительность и точность измерения.

Целью предлагаемого изобретения является создание способа, позволяющего увеличить чувствительность, а следовательно и точность измерения магнитостри-кционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок с круглой осью анизотропии.

Поставленная цель достигается тем, что в способе измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок с круглой осью анизотропии по магнитострикционному параметру с помощью двух синхронизированных между собой LC-генераторов испытуемый участок образца пленки включают .последовательно в контур одного LC-генератора, изменение восприимчивости

образца преобразуют в фазовый сдвиг между напряжениями этих генераторов, и по фазовому сдвигу онределяют магнитострдакционные свойства образца.

На чертеже изображена бло.к-схема, поясняющая способ измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок. Предлагаемый C ioco6 измерения предназначен для измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок на проводящей подложке с круговой осью аиизотрони. У таких -пленок ось легкого намагничивания расположена по окружности подложки, представляющей собой тонкую цилиндрическую лроволо-ку диаметром 0,1-0,2 мм, а ось трудного на.магничивания расположена вдоль оси подложки. В связи с таким расположением осей у пленки для создания малого пробного высокочастотного поля вдоль оси легкого на магничивания необходимо пропускать ток высокой частоты по -подлол ке пленки. С целью выявления неоднородности свойств пленки цо длине образца исследуют обычно небольшой участок длиной в несколько .миллиметров.

Устройство содерл-сит два син.хроннзированных генератора ) и 2, которыми размещен фазовый индикатор 3. В контур LC-re.нератора включен измерительный участок пленки, который соединен с деформирующим