Изобретеиие может быть использовано для построения матриц заиоминающи.х устройств на цилиндрических тонких магнитных пленках.
В известных матрицах запоминающих устройств на цилиндрических тонких магнитных пленках для получения неразрушающего считывания используется положительная обратная связь. Конструктивно эта связь выполняется в виде проводящего витка, который замыкает провод считывания.
К иедостаткам таких матриц относятся:
1.Сло}киость конструкции, так как необходим дополиительиы.ч элемент - виток контура обратной связи с заданным сопротивлением.
2.Небольщая индуктивность всей системы, что обусловливает быстрый спад восстанавлнвающего тока в цепи контура обратной связи. Быстрый сиад восстанавливающе о тока, в свою очередь требует нрименення импульсов онроса малой длительности, реализация которых на полупроводниковых ирнборах затруднительна.
3.В связи с тем, что петля обратной связи входит в разрядную цепь, требуется больший разрядный ток при записи. Кроме того, во всех запоминающих устройствах на магинтных пленках и особенно в запоминающих устройствах с неразрущающим опросом, где сигналы малы, существенную роль играют п.-.ных токов. Для устранения этих помех применяют различные конструкцни и схемные вариаиты: мостовые включения, экраны, режекторы н балансные схемы ус 1лнтеле | считывания. Это увеличивает разрядные токи, усложняет конструкцию заклнннваюии1х устройств и электронику управления.
Цель изобретения - упроще П1е конструкции матрицы.
Предлагаема; мГ|Тр1ща отл)1чается тем, чт( каждьи | 1азряд матрицы выполнен из двух отрезков мпфопровода, жилы отрезков мпкропровода соедпнены последовательно, а магнитные пленкп - параллельно.
Конструкция онисывае.мой матр1 цы ирнвсдена на чертеже.
Матрица состоит из отрезков микронровода в стекляиной нзоляции 2, иокрытых магнитиой пленкой 3. Жилы отрезков inl;poпровода соединеиы последовательно, а магнитные пленки с проводящим иодслоем -/ параллельно и образу:от контур иоложнтель}юй обратной связн. Матрица подключ;1ется к блоку 5 усилителя сигнала считывания и к формирователю 6 разрядных 1.миульсов. Такая конструкция матрицы позволяет увеличить индуктивность контура, так как в качестве витка обратной связи используется провод с магнитной пленкой. Увеличение нндуктивиостп замедляет спад восставазливающего тока, возникающего в контуре обратной связи. Медленный снад тока, возникающего в контуре положительной обратной связи, позволяет применять импульсы тока опроса больщей длительности. Кроме того, данн-зя конструкция тюзволяет уменьшить величину разрядного тока, так как контур ноложительной обратной связи электрически полностью развязан с разрядным проводом. Это позволяет также выбирать параметры контура обратной связи независимо от разрядиой цепи. Сигнал в предлагаемой конструкции можно считывать как с Ж1К1Ы, так и из цени контуров обратной связи при последовательном их соединении, в результате значительно уменьшаются помехи от р.--):; рядных токов. При разрядиых токах 20 лш величи1 а их з кубе на 256 чисел не превыщает 5 мв. Возможно также использование сигнала считывания одновременно и с жилы микронровода, и из цени контуров обратной связи. Предмет изобретения Матрица запоминающего устройства на цилиндрических тонких магнитных пленках, нанесенных на микронровод в стеклянной изоляции, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции, каждый разряд .матрицы выполнен из двух отрезков микропровода, жилы отрезков микропровода соединены последовательно, а магнитные пленки - параллельно.
