Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства Советский патент 1974 года по МПК G11C11/14 

1

Устройство предназначено для применения в оперативных запоминающих устройствах (ЗУ) ЦВМ.

Известны накопители магнитных оперативных ЗУ, выполненные на цилиндрических тонких магнитных пленках. В этих накопителях цилиндрические тонкие магнитные пленки нанесены на поверхность разрядных проводов (стержней), на которых намотаны числовые обмотки.

Однако в таких накопителях невозможно полное подавление помех даже при идеальной симметрии разрядной цепи.

Цель изобретения заключается в повышении помехозащищенности благодаря компенсации помех при помощи симметричной (относительно разрядной цепи) числовой обмотки. Эта цель достигается тем, что каждая числовая обмотка выполнена из двух одинаковых противоположно намотанных секций, включенных параллельно и встречно.

На чертеже условно изображено одно четырехразрядное число накопителя.

Числовая обмотка состоит из одинаковых секций 1 и 2.

Первая секция 1 числовой обмотки, состоящая из трех витков, намотана на разрядные провода 3-6, например, в направлении по часовой стрелке. Вторая секция 2 числовой обмотки намотана на разрядные провода 3-6

в противоположном направлении. Разрядные провода 3-6 относятся соответственно к первому, второму, третьему и четвертому разрядам накопителя. Начало (Н) секции 2 и конец (К) секции I присоединепы к токозадающим резисторам 7, которые подключены к коллектору коммутирующего транзистора 8. Начало секции 1 и конец секции 2 числовой обмотки присоединены к точке подключения источника

питающего напряжения 9 (паразитные емкости 10 связи между витками секций числовой обмотки и проводом 3 показаны на чертеже только для крайних витков). К концам провода 3 первого разряда подключен дифференциальный усилитель считываемых сигналов И (усилители остальных разрядов на чертеже не показаны).

При работе накопителя для считывания информации открывают коммутирующий транзистор 8. Считывающий числовой ток протекает через открывшийся транзистор 8 и через одинаковые токозадающие резисторы 7. Затем равные половины числового тока текут через секции 1, 2 числовой обмотки и попадают в

точку подключения источника питающего напряжения 9 (на чертеже показан р - п - ртранзистор, и соответственно выбрана полярность источпика питающего напряжения - Е). В момент считывания информации индуктивное сопротивление секций 1, 2 числовой обмотки велико, и практически все скоммутированное транзистором 8 напряжение питания оказывается приложенным к каждой из секций 1, 2 числовой обмотки. Возникающий при этом на секциях 1, 2 числовой обмотки перепад напряжения VL через паразитные емкости 10 попадает на провод 3 (на разрядные провода 4-6 остальных разрядов) и далее на усилитель 11. Секции 1 и 2 числовой обмотки одинаковые, поэтому токи помех 1 и /2 обеих секций взаимно компенсируются.

Секции 1 и 2 числовой обмотки намотаны в противоположных направлениях, но включены встречно, поэтому их магнитные поля складываются и оказывают на разрядные

провода то же действие, что и числовая обмотка в других накопителях.

Предмет изобретения

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства, выполненный на цилиндрических тонких магнитных нленках, содержащий разрядные провода с магнитным покрытием с намотанными на них числовыми обмотками, отличающееся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, каждая числовая обмотка выполнена из двух одинаковых противоположно намотанных секций, включенных параллельно и встречно.

10

.к:

J,

Tznzj

7

Л

7

J