АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР Советский патент 1972 года по МПК H03C1/48 

Описание патента на изобретение SU326700A1

Изобретение может применяться в устройствах для иепрерывной модуляции, .для имиульсной амплитудной манипуляции, а также для одновременной модуляции быстропеременным и медленно меняющимся сигналами в диапазоне частот несущей от 1 -1000 Мгц.

Известны амплитудные модуляторы, содержащие полупроводниковую пластину, помещенную в магнитное иоле, и источники модулирующего и модулирземого сигналов. Однако известные модуляторы не обеспечивают модуляции быстропеременным сигналом.

Целью изобретения является увеличение быстродействия.

Это достигается тем, что полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например, р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего наиряжения.

На чертеже показан предложенный амплитудный модулятор.

Основой мод лятора является полупроводниковая пластина / с иереходом, например, р-п типа, помещенная в постоянное магнитное поле электромагнита 2 так, что ее щирокие плоскостп перпендикулярны силовым линиям поля.

магнита подается к зажимам 4, 5 обмотки электромагнита и может быть регулируемо. Узлы 6, 7 соответственно ввода и вывода несущей частоты расположены у щироких граней пластины. Омические контакты 8 и .9 выполнены на противополол ных сторонах перехода и соединены с источником модулирующего напряжения 10. Узлы ввода - вывода расположены таким образом, что возбуждаемое (воспринимаемое) ими высокочастотное магнитное поле перпендикулярно постоянному магнитному полю.

Узлы ввода и вывода в зависимости от диапазона частот и типа устройства, в состав которого входит предложенный модулятор, могут быть выполнены в виде катущек индуктивности или полосковых линий.

Для исключения прямой наводки из узла ввода в узел вывода они расположены под углом, близким к прямому.

При поступлении э.д.с. несущей частоты, узел ввода 6 возбуждает в намагниченной

электромагнитом 2 плазме носителей тока, содержащихся в полупроводниковой пластине /, геликонную волну, распространяющуюся вдоль постоянного магнитного поля. Магнитное поле этой волны наводит в узле вывода 7

Если в некоторый момент благодаря приложенному к контактам 8 и 9 модулирующему напряжению ток через переход протекает в пропускном направлении, то э.д.с., наведенная гелоконной волной в узел вывода возрастает. При токе, протекающем через переход в обратном направлении э.д.с. в узле вывода уменьшается и при определенной величине обратного напряжения может быть сведена до нуля.

Для увеличения коэффициента передачи по мощности при модулирующем токе, протекающем в пропускном направлении, магнитное поле устанавливают близким к значению, при котором в полупроводниковой пластине возникает геликонный резонанс.

Предмет изобретения

Амплитудный модулятор, содержащий источник питания, подсоединенный к обмотке электромагнита, полупроводниковую пластину, помещенную в перпендикулярное к ее широким плоскостям постоянное магнитное поле электромагнита, узлы ввода и вывода несущей частоты, расположенные на широких гранях пластины и источник модулирующего напряжения, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, полупроводниковая пластина выполнена с глубоко лежащим плоским переходом, например р-п типа, а омические контакты на противоположных сторонах перехода соединены непосредственно с источником модулирующего напряжения.

Похожие патенты SU326700A1

название год авторы номер документа
Амплитудный модулятор 1974
  • Паулавичюс Видмантас Алексо
  • Пожела Юрас Карлович
  • Толутис Римантас Болеславович
SU540342A1
Устройство для фазовой модуляции электромагнитных сигналов 1974
  • Гуляев Юрий Васильевич
  • Кмита Анатолий Михайлович
  • Медведь Александр Владимирович
  • Федорец Владимир Николаевич
SU634448A1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ 1970
SU275235A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРАМАГНИТНЫХ ЧАСТИЦ 1971
SU432377A1
СХЕМА ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ СО СТАНЦИЕЙ И С ОТВЕТНОЙ СХЕМОЙ 1997
  • Райнер Роберт
RU2214053C2
МОДУЛЯТОР СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ВОЛН 1973
  • Витель Ю. Г. Альтшулер, Л. И. Кац, Р. М. Ревзин А. А. Тюмин
SU391659A1
СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ ФЕРРОЗОНДОВ И УСТРОЙСТВО МОДУЛЯТОРА ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2020
  • Брякин Иван Васильевич
  • Бочкарев Игорь Викторович
RU2768528C1
НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1995
  • Принц В.Я.
  • Панаев И.А.
RU2097872C1
Модулятор электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового диапазона для систем высокоскоростной беспроводной связи 2016
  • Кукушкин Игорь Владимирович
  • Соболев Александр Сергеевич
  • Соловьев Виктор Васильевич
  • Фортунатов Антон Александрович
  • Цыдынжапов Гомбо Эрыжанович
RU2626220C1
ДЕТЕКТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ КОЛЕБАНИЙ 2005
  • Меньших Олег Федорович
RU2287891C1

Иллюстрации к изобретению SU 326 700 A1

Реферат патента 1972 года АМПЛИТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР

Формула изобретения SU 326 700 A1

SU 326 700 A1

Авторы

Р. С. Бразис, К. К. Валацка, Ч. В. Мачюлайтис Ю. К.

Институт Физики Полупроводников Литовской Сср

Даты

1972-01-01Публикация