ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ Советский патент 1972 года по МПК H03F3/04 

Устройство относится к области радиотехники, в частности, усилительной техники.

Известны операционные усилители, содержащие дифференциальный усилитель с эмиттерными повторителями на входах и генератором тока Б эмиттерной пепи усилителя.

Цель изобретения - повышение коэффициента усиления и коэффициента подавления синфазных помех.

Это достигается тем, что к базам транзисторов дифференциального усилителя устройства подключены коллекторы дополнительных транзисторов, базы которых непосредственно связаны с базой транзистора генератора тока.

Ыа чертеже приведена принципиальная схема устройства.

Во входном дифференциальном каскаде устройства включены два входных транзистора У и 2, -эмиттеры которых под со единены,к базам усилительных транзисторов 3 и 4.Е цепь эмиттеров входных транзисторов, соединенных с базами усилительных транзисторов, включены коллекторы дополнительных транзистоpOiB 5 и 5, базы которых соединены между собой и базой транзистора 7 - генератора тока. Коллектор транзистора 7 соединен с эмиттерной цепью усилительного транзистора. Базы транзисторов 5, 6 и 7 соединены между собой цепью температурной компенсации, состоящей

из диода 8 и резистора 9, соедппенных с отрицательным полюсом источника питания.

В цепь температурной компенсации включен транзистор 10 обратной связи через резистор // Эмиттерные цепи транзисторов 5, 6 и 7 через резисторы 12, 13 и 14 соединены с отрицательным полюсом источника питания.

Сигнал подается на базы транзисторов / и 2, усиливается транзисторами 5 и 4 и с коллекторов этих транзисторов подается на входы усилителя второго дифференциального усилителя напряжения.

За счет подключения в эмиттерные цепи траизисторов 1 и 2 коллекторных цепей транзисторов 5 и 6 эмиттерный ток транзисторов 1 и 2 возрастает, при этом возрастает коэффициеит усиления этих транзисторов. В результате коэффициент передачи сигнала транзисторов 1 и 2 в базовой цепи транзисторов 3 Н 4 увеличивается в 2-3 раза, что приводит к возрастанию общего коэффициента усиления.

Вместе с тем, подключение коллекторных цепей транзисторов 5 и 5 не уменьшает входного сопротивления операционного усилителя, поскольку выходное сопротивление намного больше входного сопротивления транзисторов 3 Н 4. чением эмиттерного тока транзисторов / и 1 коэффициент усиления возрастает линейно. Вследствие того, что температурная стабильность обеспечивается эмиттерными цепями второго дифференциального каскада, который через базовые цепи транзистора 10 и транзисторов 5, 6 и. 7 воздействует на входной дифференциальный усилитель, любое температурное отклонение напряжения на выходе входного дифференциального усилителя ведет к изменению напряжения на базах транзисторов 10, 5, 6 и 7, а значит и к соответствующему изменению тока. Следовательно, изменяется также коэффициент усиления входного дифференциального усилителя, стабилизируя тем самым напряжение на его коллекторах при изменении температуры. Аналогичная (paidoTa наблюдается при изменении напряжения источника питания, то есть ведет к повышению помехоустойчивости операционного усилителя по питанию. Воздействие на оба входа операционного усилителя сигнала общего вида приводит к согласованному изменению напряжения на коллекторах входного дифференциального усилителя, что соответствующим образом действует на базы второго дифференциального усилителя, а следовательно, «а базы транзисторов 10, 5, 6 я 7 и приводит к пода1влению помех на коллекторах второго дифференциальвого усилителя. Возможность обеспечения балансирования операциоиного у-силителя с помощью дополнительных транзисторов 5 и б дает возможность использовать операционный усилитель как в качестве измерительного, так и инструментального, что обеспечивает его универсальность. Предмет изобретения Операционный усилитель, содержащий дифференциальный усилитель с эмиттерными повторителями на входах и генератором тока в эмиттерной цепи усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента подавления синфазных помех, к базам транзисторов указанного дифференциального усилителя подклю|чены коллекторы дополнительных транзисторов, базы которых непосредственно связаныс базой транзистора генератора тока.