УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ Советский патент 1972 года по МПК H03F3/20 H03F3/20 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике. Устройство может быть нримеиено в радиотехнической и аналоговой аппаратуре, операционных усилителях, комнараторах.

Известны усилители мопию.сти, входной каскад которых еодерЖИт входной эмиттерный повторитель, усилительный каскад, динамическую нагрузку и элемент термостабильНОСТИ.

В известном усилителе сигнал, нодалный на вход, усиливается только на коллекторе транзистора усилительного каскада. Так как коэффициеит усиления змиттерного повторителя равен едииице, а коэффициент усиления усилителя нанряжения 300-500 и динамическая нагрузка вынолняет свои прямые функции источника тока с BbicoKiHM дифференциальным сонротивлением, то коэффициент усиления всего входного каскада 300-500. Следовательно, коэффициент усиления .всего усилителя мощности не .превышает 300-500, так как на выходе его включены оконечные эмиттерные повторители, коэффициент усилевня которых не лревьинает единицы.

Цель изобретения - повышение коэф:фициеита усиления усилителя мощноети. Достигается она тем, что в предлагаемом усилителе мощности между коллектором эмиттерного повторителя и базой транзистора динамической нагрузки включен коллекторно-базовый переход транзистора дополнительной дииамической нагрузки, а между эмиттером эмиттерHioro повторителя и меетом соединения баз

транзисторов динамической иагрузки включен эмиттерно-коллекторный переход транзисторного инвертора, база которого подключена к коллектору эмиттерного повторителя.

Ус глитель выполнен в виде одного каскадного блока по технологии интегральных схем. Принци:ппальная электрическая схема устройства изображена на чертеже.

На входе усил1ителя .мониюсти включен эмнттерный повторптель на транзисторе 1,

эмиттер которого соединен с базой транзистора 2 усилительного каскада и через резистор 3 - с эм1гттером транзнстора 4 - инвертора. Коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 4-иивертора и коллектором транзнетора 5 - дополнительной динамической нагрузкой. Эмиттер транзистора 5 через резистор 6 связан с положительны.м нолюсо нсточника .Н1ггання. Коллектор транзнстора 4 соединен с базами транзисторов 5

и 7 и через резистор 8 - с положительным нолюсом источиика питания, к которому подключен и эмиттер транзистора 7 - динамической нагрузки. Коллектор транзистора 7 соединен со входом оконечного эмиттерного пов