ТГ- - • ..ЛЕСКАЯ , ёйШ^^отена i/iBAI::М. А. Мовшович Советский патент 1972 года по МПК H03K3/22 

Изобретение относится к .раднотехкической ашшратуре и является дальнейшим усовершенствованием известного изобретения по основному авт. св. № 221773.

Цель изобретения - повышение точности, исключение -влияния величины диффузионного така туннельных диодов на чувствительность схемы сравнения и обеанечение сравнения сигналов независимо от их полярности.

Для этого коллектор каждого транзистора обратного типа проводимости, эмиттер которого через резистор лодключен к источнику литапня балансното каскада, а коллектор через резистор соеди«ен с общей шиной и через последовательно соединенные дифференцирующую цепь и диод подключен к коллектору другого транзистора балансного каскада, эмиттер и база транзистора-стабилизатора тока соответстзеннО через резистор и переменный резистор соединены с минусовой шиной дополнительного источника питания, а параллельно туннельнЫМ диодам включены диоды.

На чертеже при-ведена принципиальная электрическая схема одного из вариантов схемы сравнения.

Схема сравнения содержит транзисто-ры / и 2 балансного .каскада, туннельные диоды 3 и 4, включенные между коллекторами этих транзисторов и ИСТОчникОМ питаНИя, транжистар-стабилизатор тока 5, коллектор которого соедине1

с эмиттерами транзисторов / и 2, резистор 6. включенный между эм.иттером транзистора 5 и источ-)) питания, и резистор 7, включенный базой транзистора 5 и обшей шиной.

К коллектору транзистора / .подключена база транзистора усилительного каскада 8, между эмиттером II источником которого включен резистор 9.

Между коллектором транзистора 6 и общей шиной включен резистор JO, являющийся нагрузочным сопротивлением усилителя. К. коллектору транзистора 8 подсоединен кон.денсатор //, образующий дифференцирующее звено

с резистором 2, .включенным между конденсатором //и источником 1питания. Между точкой соединения конденсатора // с резистором 12 и коллектором транзистора 2 включен диод IS, предназначе1 ный для пропускания импульсов

одной из двух полярностей, получающихся при дифференцировании сигнала усилителя 8. Аналогичная цепь обратной связи, содержащая дифференцирующее звено, включена межд коллекторами транзисторов 2 и 1.

К коллектору тра нзистора 2 подсоединена база транзистора 14, у которого элшттер подсоединен к источнику питания через резистор 15, а коллектор - к общей щине через резистор 16. Между коллектором транзистора 14 и

ющее звено, состоящее из конденсатора 17 и резистора 18, точка соединения которых через диод 19 подключена « коллектору транзистоipa I. Между базой транзисто1ра 5 .и источником литания эмиттера транзистора 5 включен переменный .резистор 20.

Полярности источников питания эгушттера транзистора 5 и коллекторов транзисторов / и 2 противоположны. База транзистора 1 соединена с клеммой подключения источника измеряемого сигнала 21 (Вх. I) и через резистор 22 подключена к общей шняе. База транзистора 2 соединена с клеммой подключения источника уравновещивающего (порогового) сигнала 23 (Вх. II) и через резистор 24 подключена к общей щине.

Коллекторы транзисторов 1 я 2, транзисторов 8 VI 14 соединены соответственно с выходными клеммами 24, 25, 26 и 27.

В случае необходимости на выходе можно снимать сигналы с эмиттеров транзисторов 8 и 14.

Параллельно туннельным диодам 3 и 4 включены ооопветственно шунтирующие диоды 28 и 29; которые открываются при переходе туннельных диодов в область диффузионного тока.

При увеличении тока через транзистор / после перехода туннельного диода 3 в область диффузионного тока отпирается шунтирующий диод 28, и увеличение тока через транзистор сопровождается незначительным увеличением диффузионнОГО тока туннельного диода, так как больщая часть тока транзистора / протекает через диад 28, который работает в режиме стабилизатора напряжения. Поэтому амплитуда папряжания сигнала на коллекторах транзистора / и 8 определяется напряжением стабилизации диода 28.

При шунтироВ:аиии туннельного диода полунроводниковым диодом, у которого напряжение отпирания меньше, чем напряжение раствора туннельного диода, диффузионный ток

туннельногй диода будет меньше, чем величина пикового тока туннельного диода.

Положительные фронты сигналов на коллекторах транзисторов 8 vi 14 (клеммах 26 и 27) соответствуют моментам пересечения сигналом

на входе порогового уровня, соответственно, з положительном и отри-цательном направлении. Отрицательный фронт сигнала на коллекторе транзистора 8 соответствует моменту пересечения сигналом на входе порогового уровня в

отрицательном направлении.

Предмет и з о б ip е т е н и я

Схема сравнения по авт. св. ЛЬ 221773, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности, исключения влияния величины диффузионного тока туннельных диодов на чувствительность схемы сравнения и обеспечения сравнения сигналов независимо от их полярности, коллектор каждого транзистора балансного каскада соединен с базой дополнительного транзистора обратного типа проводимости, эмиттер которого через резистор подключен к источнику питания балансного каскада, а коллектор через резистор соединен с общей щиаюй и через последовательно соединенные дифференцирующую цепь и диод подключен к коллектору другого транзистора балансного каскада, эмиттер и база транзистора-стабилизатора тока соответст1венно через резистор и переменный резистор соединены с минусовой шиной дополнительного источника питания, а параллельно туннельным диодам включены диоды.

Зх.

Вк.П