Изобретение относится к технологическому оборудований электронной техники, в частности к установкам для полу11ения эпитаксиальных слоев.
. Необходимое условие получения полупроводниковых слоев с совершенной кристаллической структурой и контролируемыми электрическими параметрами - отсутствие загрязнения слоев в процессе их вьфащивания. Неконтролируемые примеси снимают удельное сопротйвле- ние, время жизни и подвижность носителей тока, увеличивают плотность дефектов кристаллической структуры в слоях, ухудшают свойства приборов, изготовленных на их основе.
Наиболее вероятньш источник загрязнения слоев - разогретые детали рабог чей камеры установки. Одним из методов, дающим наименьшее загрязнение, является- разогрев полупроводниковых подложек электрическим током, проходящим непосредственно через них. Этот метод используется, например, для получения слоев кремния испарением в вакууме. Обычно в таких случаях напряжение к подложкам из кремния подводится при помощи пластин и скрепок из вольфрама, молибдена или тантала.
Недостатком применяемых конструкций токоподводящих держателей подложек является высокая температура контактов металл - кремний. Например, при температуре подложки из кремния 1380 С размерами 60x5x1 мм охлаждаемые водой молибденовые - пйастинй толщиной 0,2 мм, подводящие напряжение к кремнию, на- греваются до 900-1200 с. В местах контакта металла с кремнием, который , обычно имеет небольшую площадь 1 мм;, наблюдается локальный нагрев, искрение и разрушение контакта. В этом :случае возможно загрязнение растущих слоев.
Цель изобретения - повьшение качества дпитаксиальных слоев. Это достигается тем, что токоподводы устройства для крепления вьтолнены в виде двух пар металлических пластий с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала подложки. 334 На чертеже представлено предлагаемое устройство. Концы разогреваемой полупроводниковой подложки 1 помещены между двумя парами брусков 2 и 3 кремния. При помощи металлических 4 токоподводящие металлические пластины 5 и 6 зажимают концы брусков. ТокоподводяЩйе пластины подсоединены к источнику электрического тока. Бруски изготовлены из низкоомного, вырожденного кремния. Это объясняется тем, что с уменьшением удельного сопротивления полупроводника уменьшается и сопротивление области его контакта с MeTajpioM. Размеры брусков выбирают такими, чтобы нагрев металлических токоподводящих пластин за счет тепловыделения на самих брусках и путем теплопроводности от подложки был наименьшим, так при нагревании образца кремния до 1400 С контакты нагреваются до . Градиент температуры в подложке от концов к центру не более 5°С/см. Применение предлагаемого устройства позволяет снизить температуру подложки при получении совершенных слоев (плотность дислокаций и дефектов упаковок 10 смЪ до вместо , а наименьшую температуру эпитаксиаль кого роста до 430с.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК^ нагреваемых электрическим током, при полз^чении • эпитаксиальных слоев, содержащее пру-, жинные зажимы и токоподводы, о т л и- чающееся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиаль)Е1ЫХ слоев, токоподврда выполнень! в виде двух пар металлических пластин с контактными брусками, изготовленными из полупроводникового материала подложки.
S S
