ЗАПОМИНАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТАЯ ПАНЕЛЬ Советский патент 1972 года по МПК G09F13/22 H05B33/00 

Изобретение относится к области оптоэлектроники, в частности к твердотельным электролюминесцеитным преобразователям изображения бистабильного действия с неограничеиным временем запоминания оптических сигналов.

Известны запоминающие электролюминесцептиые панели, содержащие стеклянную подложку и последовательно расположенные один из сплошных прозрачных электродов, слой сублимированного электролюминофора, две проводящие мозаики и слой фотопроводиика с другим сплошным прозрачным электродом.

Предлагаемая запоминающая панель отличается от известных тем, что в нее введен запоминающий элемент, выполнеииый в виде тонкопленочного слоя, например, из халькогенидного стекла с 5-образной вольт-амперной характеристикой, расположенный между проводящими мозаиками.

Это повышает разрешающую способность панели.

На фиг. 1 показана предлагаемая панель; на фиг. 2 - эквивалентная схема каждого элемента панели; на фиг. 3 дана вольт-амперная характеристика запоминающего слоя.

На стеклянной подложке / со сплошным прозрачным электродом 2 формирует тонкую пленку 3 еублиматфосфора, способного возбуждаться напряжением постоянного тока. На ней распылепием в вакууме через маску или

методом фотопечати изготавливают первый мозаичный металлический электрод 4 для формирования элементарных халькогенидных диодов. Затем термическим распылением в вакууме наносят тонкую пленку 5 халькогенидного стекла, на которой изготавливают второй мозаичный металлический электрод 4, совмещенный с первым. На пленку 5 наносят пленку 6 фотопроводникового материала и второй

сплошной прозрачный электрод 2. Все рабочие слои панели защищают от воздействия атмосферной влаги слоем 7 прозрачного герметика, например стеклом, органическими полимерами, полимерными пленками. Рабочее напряжение

прикладывают между сплощными прозрачными электродами.

Если величину рабочего постоянного напряжения браб выбрать несколько больщей напряжения срыва Lcp в халькогенидном диоде, а суммарное сопротивление фотопроводникового элемента в темноте /((ш и электролюминесцентного элемента таким, чтобы нагрузочная характеристика соответствовала

прямой 8, то в отсутствии светового сигнала состояние системы соответствует точке А характеризующейся малым током в цепи. Электролюминесцентный элемент в таких зсловиях может обладать лишь слабым «фоновым све8 MokeHf подачи светового сигнала на фотопроводннк сопротивление последнего уменьшается, нагрузочная характеристика соотвегствует прямой 9, и элемент панели переходит в состояние Б. Электролюминофор, ярко вспыхивает. После прекращения светового сигнала фотопроводник возвращается в темновое состояние, но элемент панели остается в состоянии В, характеризующемся больщим током в цепи, и, следовательно, достаточно ярким свечением электролюминофора. Это состояние продолжается до тех пор, пока на какое-то мгновение не будет снято рабочее напряжение (быстродействие халькогенидного диода «без памяти менее 100 мк/сек).

Предмет изобретения Запоминающая электролюминесцентная панель, содержащая стеклянную подложку и последовательно расположенные один из сплошных прозрачных электродов, слой сублимированного электролюминофора, две проводящие мозаики, слой фотопроводника с другим сплошным прозрачным электродом, отличающаяся тем, что, с целью повышения разрешающей способности панели, в нее введен запоминающий элемент, выполненный в виде тонкопленочного слоя, например, из халькогенидного стекла с 5-образной вольт-амперной характеристикой, расположенный между проводящими мозаиками.

UpoaJL