ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ПАНЕЛЬ Советский патент 1973 года по МПК G09F13/22 

1

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в системах отображения для автоматического исключения нзбыточной информации об анализируемых изображениях путем выделения изменений в следующих друг за другом проекциях изображений.

Известные оптоэлектронпые преобразовательные панели, содержащие подложку с нанесенными на ней слоем электролюминесцентного излучателя, двумя фотопроводннковыми слоями, между которыми расположен светоэкранирующий слой, и прозрачные токопроводящие слои, не обеспечивают расширения функциональных возможностей панели.

В предлагаемую оптоэлектронную панель с целью расщирения ее функциональных возможностей, введен фотопроводниковый слой, расположенный последовательно с одним из фотопроводниковых слоев со спектральной чувствительностью, отличной от спектральной чувствительности других фотопроводниковых слоев, спе.ктральная чувствительность которых совпадает со спектром излучения электролюминесцентного излучателя.

На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемой онтоэлектронной панели; на фиг. 2 - оптоэлектронная панель.

Панель содержит фотопроводниковые слои 1, 2, 3; светоэкранирующий слой 4; электролюминесцентный излучатель 5. В цепь питания панели включено дифференцирующее устройство 6. На подложку 7 в различной последовательности нанесены слои /-5 и токопроводящие прозрачные слои 8.

Панель работает следующим образом. На панель проектируют анализируемое изображение (источник 9 и поддерживающее облучение (источцик 10, представляющее

собой систему дискретных лучей. Источники 9 и 10 проекторов изображения и поддерживающего облучения выбирают с различными не перекрывающимися спектрами излучения. При этом спедтр излучения одного из них,

например источника 9, совнадает со спектрами излучения сканирующего источника // и электролюмннесцентного излучателя 5, а также со спектральной чувствительностью фотопроводникового слоя 3, близлежащего к

электролюминесцентному излучателю, и спектральной чувствительностью фотопроводннковых слоев, лежащих с другой стороны светоэкрана 4 слоя /. Спектр излучения другого источника 10 совпадает со спектральной чувствительностью фотопроводникового слоя 3.

Анализ проводят сканированием панели тонким световым лучом (источник У/). Скаиирующий луч последовательно обегает панели, и под его воздействием участки панели,

одновременно облучаемые информационным

и поддерживающим излучением, переходят в возбужденное состояние и остаются в этом состоянии после прекращения сканирующего воздействия за счет оптической связи электролюминесцентного излучателя 5 с фотопроводниками близлежащего к нему фотослоя.

Таким образом, панель индицирует изображение в виде совокупности светящихся точек, что обусловлено дискретностью поддерживающего облучения. Потребляемый панелью ток (мощность) зависит от площади возбужденных участков. Поэтому о достижении сканирующим лучом подсвечиваемого информационным (и поддерживающим) облучением участка можно судить с помощью дифференцирующего устройства 6 по скачкообразным изменениям тока. При повторном сканировании на выходе дифференцирующего элемента не появится сигнал, если в информационном облучении не произощло никаких изменений. В случае же смещения изображения часть ранее освещенных участков фотопроводникового слоя, чувствительного к изображению, будет затемнена, сопротивление их возрастает, что приведет к гащению соответствующих участков электролюминесцептиого излучателя. Одновременно будут освещены новые участки фотопроводникового слоя, и при последующем сканировании на выходе дифференцирующего устройства 6 появится сигнал, свидетельствующий об изменениях в исследуемом изображении. Аналогичный результат будет наблюдаться при появлении в изображении новых объектов.

Очевидно, что при «сплощном поддерживающем облучепии (т. е. в том случае, когда поддерживающее облучение воздействует на все участки чувствительного к нему фотослоя) смещение изображения приведет к плавному «расползанию его из-за того, что электролюминесцентный излучатель подсвечивает фоторезисторы как своего, так и соседнего участка (см. фиг. 1). В результате дифференцирующий элемент не сможет выделить сигнал изменений в изображении. Для устранения этого явления необходимо, чтобы поддерживающее облучение представляло собой систему дискретных лучей, а каждый участок экрана, освещаемый дискретным лучом, отделен от соседних аналогичных участков зоной, не освещаемой источником поддерживающего облучения. Допустимая плотность расположения участков, находящихся под воздействием поддерживающего облучения, определяет разрещающую способность панели при ее заданных размерах.

Целесообразно для устранения паразитной подсветки через прозрачную подложку использовать в качестве последней волоконную оптическую планшайбу. Очевидно, что для нормальной работы панели необходимо, чтобы внещний слой / фотопроводника был достаточно прозрачным для облучения, воздействующего на другой слой фотопроводника 2, лежащий непосредственно под внещним слоем. Такому условию удовлетворяет, например, панель, в которой в качестве излучателя применен электролюминофор с длиной волны изо

лучения в области 6600А; внещний и прилегающий к электролюминофору фотопроводниковые слои, чувствительные к сканирующему информационному облучению, выполнены из материала 20% CdS + 80% CdSe, максимум чувствительности которого практически совпадает со спектром излучения упомянутого электролюминофора; и, наконец, фотопроводниковый слой, чувствительный к поддерживающему облучению, выполнен из материала PbS, максимум чувствительности которого леж-ит в дальней инфракрасной области. При толщине впещнего фотонроводникового слоя в единицы микрон он является практически прозрачным для излучения в инфракрасной области.

Предмет изобретения

Оптоэлектронная панель, содержащая подложку с нанесенными на ней слоем электролюминесцентного излучателя, двумя фотопроводниковыми слоями, между которыми расположен светоэкранирующий слой, и прозрачные токопроводящие слои, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей панели, в нее введен фотопроводниковый слой, расположенный последовательно с одним из фотопроводниковых слоев со спектральной чувствительностью, отличной от спектральной чувствительности других фотопроводниковых слоев, спектральная чувствительность которых совпадает со спектром излучения электролюминесцентного излучателя.

0-