ИСТОЧНИК ИОНОВ Советский патент 1972 года по МПК C23C14/32 

Изобретенеие относится к аппаратуре для ионного напыления, а также к ускорительной технике.

В известном источнике ионов, содержащем спиральный накальный катод и соосно расположенный с ним цилиидрический анод, плотность ионов в разряде мала.

Предлагаемый источник позволяет увеличить плотность ионов в разряде за счет того, что анод расположен внутри спирали катода.

На чертеже представлен предлагаемый источник |Ионов, содержащий цилиндрический анод Л спиральный накальный катод 2, вакуумную оболочку 3. Анод расположен внутри спирали катода. Ток накала катода поддерживает температуру катода 2 на определенном уровне и одновременно создает магнитное поле, требуемое для увеличения нлотности ионов в плазме разряда между катодом и анодо.м.

Предмет изобретения

Источник ионов напылительной установки, содержащий спиральный накальный катод и расположенный соосно ему цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности ионов в разряде, анод расположен внутри спирали катода.