1
Изобретение огносится к плазменным ионрым источникам и предназначено для получения интенсивных направленных потоков ионов газов и твердых тел (, полупроводников,диэлектриков).
Известны ионные источники, содержащие накальный катод в виде спирали или прямой нити, расположенный в объеме разряда, магнитную катушку, электроды-отражатели и образец ионизируемого вещества, подвергающийся катодному распылению. Эти источники не обеспечивают высокоэффективного использования вещества, поскольку режим, при котором разряд горит в парах чистого металла (режим самораспыления) и источник генерирует в основном ионы металла, реализуется при давлении около торр, когда осцилляции электронов фактически отсутствуют. Кроме того, у этих источников {низка стабильность рабочих режимов.
В предложенном источнике ионов это уст- раняется за счет , что распыляемый образец выполняется в виде закрытого с одной стороны полого цилиндра, внутри котороrg соосно образцу закреплен катод. Отверотие эмиссии ионов располагается в отража;теле, установленном против открытого -торца цилиндрического образца. В источнике создается неоднородное магнитное поле типа ловушки.
Иа чертеже показан предложенный источ,ник ионов.
/ - Он содер; ит накальный катод 1, распыдяемый образец 2, анод 3, отражатель ;(круглая пластинка) 4 с эмиссионным oi берЪтием 5, вытягивающий электрод (эко-. гтрактор) 6, магнитную катушку 7.
Катод 1 размещен внутри :распыляемОго образца 2. Анод 3 находится на таком расстоянии, при котором исключается возмож.ность электрического пробоя на образец. Отражателями электронов в источнике являются с одной стороны узел образец-катод, а с другой - круглая пластинка 4, имеющая отверстие 5 для отбора ионов, за которым находится экстрактор 6 ионно-оптической системы. Магнитная катушка 7 соз,дает однородное магнитное поле, вектор напряженности которого параллелен оси ио гочника,
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия | 2018 |
|
RU2676720C1 |
ИСТОЧНИК ИОНОВ | 1992 |
|
RU2034356C1 |
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВЕЩЕСТВА | 2017 |
|
RU2666766C1 |
СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ПРОТЯЖЕННЫХ ОТВЕРСТИЙ | 2022 |
|
RU2781774C1 |
ГЕНЕРАТОР ПЛАЗМЫ | 2010 |
|
RU2441354C1 |
ГАЗОРАЗРЯДНЫЙ ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДУГОПЛАЗМАТРОННОГО ТИПА | 1991 |
|
SU1797448A1 |
СПОСОБ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ИОННОЙ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1996 |
|
RU2113538C1 |
СПОСОБ АНАЛИЗА ТВЕРДЫХ ТЕЛ С ПОМОЩЬЮ ИОННОГО ИСТОЧНИКА ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА С ПОЛЫМ КАТОДОМ | 2000 |
|
RU2174676C1 |
ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННАЯ ИОННАЯ ОБРАБОТКА И ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ПРИ СОДЕЙСТВИИ ДУГОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2695685C2 |
ИСТОЧНИК ИОНОВ МЕТАЛЛОВ | 1986 |
|
SU1371434A1 |
Авторы
Даты
1976-05-25—Публикация
1972-06-16—Подача