Источник ионов твердых веществ Советский патент 1976 года по МПК H01J3/04 

Описание патента на изобретение SU410700A1

1

Изобретение огносится к плазменным ионрым источникам и предназначено для получения интенсивных направленных потоков ионов газов и твердых тел (, полупроводников,диэлектриков).

Известны ионные источники, содержащие накальный катод в виде спирали или прямой нити, расположенный в объеме разряда, магнитную катушку, электроды-отражатели и образец ионизируемого вещества, подвергающийся катодному распылению. Эти источники не обеспечивают высокоэффективного использования вещества, поскольку режим, при котором разряд горит в парах чистого металла (режим самораспыления) и источник генерирует в основном ионы металла, реализуется при давлении около торр, когда осцилляции электронов фактически отсутствуют. Кроме того, у этих источников {низка стабильность рабочих режимов.

В предложенном источнике ионов это уст- раняется за счет , что распыляемый образец выполняется в виде закрытого с одной стороны полого цилиндра, внутри котороrg соосно образцу закреплен катод. Отверотие эмиссии ионов располагается в отража;теле, установленном против открытого -торца цилиндрического образца. В источнике создается неоднородное магнитное поле типа ловушки.

Иа чертеже показан предложенный источ,ник ионов.

/ - Он содер; ит накальный катод 1, распыдяемый образец 2, анод 3, отражатель ;(круглая пластинка) 4 с эмиссионным oi берЪтием 5, вытягивающий электрод (эко-. гтрактор) 6, магнитную катушку 7.

Катод 1 размещен внутри :распыляемОго образца 2. Анод 3 находится на таком расстоянии, при котором исключается возмож.ность электрического пробоя на образец. Отражателями электронов в источнике являются с одной стороны узел образец-катод, а с другой - круглая пластинка 4, имеющая отверстие 5 для отбора ионов, за которым находится экстрактор 6 ионно-оптической системы. Магнитная катушка 7 соз,дает однородное магнитное поле, вектор напряженности которого параллелен оси ио гочника,

Похожие патенты SU410700A1

название год авторы номер документа
Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия 2018
  • Гаврилов Николай Васильевич
  • Каменецких Александр Сергеевич
  • Третников Пётр Васильевич
RU2676720C1
ИСТОЧНИК ИОНОВ 1992
  • Маков Б.Н.
RU2034356C1
СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ВЕЩЕСТВА 2017
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Сивин Денис Олегович
RU2666766C1
СПОСОБ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ПРОТЯЖЕННЫХ ОТВЕРСТИЙ 2022
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Сивин Денис Олегович
  • Корнева Ольга Сергеевна
RU2781774C1
ГЕНЕРАТОР ПЛАЗМЫ 2010
  • Мартенс Владимир Яковлевич
  • Шевченко Евгений Фёдорович
RU2441354C1
ГАЗОРАЗРЯДНЫЙ ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДУГОПЛАЗМАТРОННОГО ТИПА 1991
  • Черник В.Н.
SU1797448A1
СПОСОБ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ИОННОЙ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1996
  • Рябчиков А.И.
  • Дектярев С.В.
RU2113538C1
СПОСОБ АНАЛИЗА ТВЕРДЫХ ТЕЛ С ПОМОЩЬЮ ИОННОГО ИСТОЧНИКА ТЛЕЮЩЕГО РАЗРЯДА С ПОЛЫМ КАТОДОМ 2000
  • Сихарулидзе Г.Г.
RU2174676C1
ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННАЯ ИОННАЯ ОБРАБОТКА И ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ПРИ СОДЕЙСТВИИ ДУГОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ 2014
  • Гороховский, Владимир
  • Грант, Вильям
  • Тейлор, Эдвард
  • Хьюменик, Дэвид
RU2695685C2
ИСТОЧНИК ИОНОВ МЕТАЛЛОВ 1986
  • Стогний А.И.
  • Никитинский В.А.
  • Журавлев Б.И.
  • Хитько В.И.
  • Токарев В.В.
  • Зеленко А.И.
SU1371434A1

Иллюстрации к изобретению SU 410 700 A1

Реферат патента 1976 года Источник ионов твердых веществ

Формула изобретения SU 410 700 A1

SU 410 700 A1

Авторы

Абдрашитова Д.Х.

Бабаев В.Г.

Гусева М.Б.

Даты

1976-05-25Публикация

1972-06-16Подача