Изобретение относится к области радиотехники.
Известны растворы для нанесения покрытия из селенида цинка на диэлектрические материалы, содержащиесоль цинка, например хлористый цинк, селеномочевину и ледяную уксусную кислоту.
В целях равномерного покрытия из селенида цинка в предлагаемый раствор введен гидразин-гидрат и исходные компоненты взяты в следующих соотнощениях, моль/л:
Хлористый цинк5-10 -0,1
Селеномочевина5-10 -0,1
Гидразин-гидрат2,0-8,0
Ледяная уксусная кислота до рН7-10
Последовательность операций по нанесению раствора на диэлектрические материалы рассматривается на примере нанесения раствора на стеклянную пластину. Предварительно пластину тщательно очищают от жировых и других загрязнений. Для этого ее поверхность протирают содовым тампоном и промывают водопроводной водой. Затем стеклянную пластину погружают на 10-20 мин в хромовую смесь (50 2 К2Сг2О7 на 1 л H2S04 уд. вес 1,84), от которой тщательно отмывают проточной водопроводной водой, затем бидистиллятом, и помещают в осадительиую ванну. Для приготовления
100 мл реакционной смеси к 2,65 мл (1,89 м хлористого цинка добавляют 19,5 мл гидразингидрата (20,5 м) м разбавляют водой. Доводят рН до 9,0 добавлением 7,5 мл ледяной уксусной кислоты. Затем 0,61508 г селеномочевины растворяют в воде, вливают в осадительный состав и погружают в него предварительно подготовленную стеклянную пластину. Из смеси указанного состава осаждаются пленки се°
ленида цинка толщиной более 1000 А. Температура при нанесении покрытия поддерживается 10-70° С.
Предмет изобретения
1.Раствор для нанесения покрытия из селенида цинка на диэлектрические материалы, содержащий соль цинка, например хлористый цинк, селеномочевину и ледяную уксусную кислоту, отличающийся тем, что, с целью равномерного покрытия из селенида цинка, в раствор введен гидразин-гидрат.
2.Раствор по п. 1, отличающийся тем, что юходные компоненты взяты в следующих соотнощениях, : иоль/./г:
Хлористый цинк5-10- -0,1
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РАСТВОР ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ СЕЛЕНИДА СВИНЦА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ | 1972 |
|
SU356318A1 |
РАСТВОР ДЛЯ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА ИНДИЯ | 2016 |
|
RU2617168C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК СЕЛЕНИДА СВИНЦА | 2015 |
|
RU2617350C1 |
Способ получения фоточувствительных пленок селенида свинца методом химического осаждения | 2018 |
|
RU2682982C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА СВИНЦА | 2019 |
|
RU2745015C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ НАНОКОМПОЗИЦИЙ ДЛЯ СВЕРХПЛОТНОЙ МАГНИТНОЙ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ | 2012 |
|
RU2520239C1 |
СПОСОБ ПЛАКИРОВАНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ | 2013 |
|
RU2556854C2 |
Водный раствор для подготовки металлической поверхности перед химическим никелированием | 1980 |
|
SU926064A1 |
Водный раствор для химического осаждения покрытий из сплава никеля | 1977 |
|
SU768853A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОЛЕЙ 4H-СЕЛЕНОПИРИЛИЯ | 2021 |
|
RU2779983C1 |
Даты
1972-01-01—Публикация