МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1972 года по МПК H03K3/281 

Изобретение относится к области импульсной техники, и может быть использовано для ностроения функциональных преобразователей напряжения в частоту, например, в качестве задающего генератора в схемах управления исполнительными двигателями. Известны мультивибраторы, частота которых зависит от отношения двух напряжений Недостатком их узкий диапазон я/вляется выходных нелинейность при малых значениях. При уменьшении t/i до нуля наступает момент, когда вместо уменьшения частоты происходит ее увеличение при уменьшении амплитуды вследствие изменения режима работы транзисторов мультивибратора. Целью изобретения является расширение Диапазона частот в сторону низких частот вплоть до сры,ва генерации и повышение устойчивости работы мульти/вибратора. Это достигается тем, что в мультивибратор введены дополнительные цепочки коллекторно-базовых связей из последовательно соединенных стабилитронов и резисторов. На фиг. 1 изображена схема предлагаемого мультивибратора; на фиг. 2 - временнь1е диаграммы, паясняюш,ие работу мультивибратора; на фиг. 3 показана зависимос.з частоты от и (пунктиром показана зависимость частоты от напряжения известной схемы). Мультивибратор содержит транзисторы / и 2, в коллекторные цепи которых через диоды 3 и 4 включены зарядные резисторы 5 и 6, соединенные с источником упра;вляюш:его напряжения и. Между коллекторами и базами транзисторов включены цепочки нелинейной положительной гальванической обратной связи из стабилитронов 7 и S и резисторов 9 и 10. К базам транзисторов 1 и 2 через диоды // и 12присоединен стабилизатор разрядного тока, выполнеиный на транзисторе 13, к базе которого .подключен источник управляющего напряжения /I. В эмиттерной цепи транзистора 13включен резистор 14, присоединенный к цепочке пз диода 15, резистора 16 и источника смещения Есм для компенсации напряжения эмиттер-база транзистора 13. На диаграмме I (фиг. 2) показано напряжение на коллекторе транзистора /, на диаграмме И - напряжение на базе того же транзистора. Открытый транзистор находится в насыщении благодаря тому, что напряжение отпирания стабилитрона выбрано несколько