НЕВЗАИМНОЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1973 года по МПК H01P1/36 

I

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в аппаратуре миллиметрового диапазона длин волп, в частности, как элемент СВЧ-развязки.

Известны невзаимные устройства, состоящие из отрезка прямоугольного волновода, полупроводникового образца и источника магнитного поля.

Невзаимность распространения волны в этом устройстве достигается тем, что около одного из оснований пластинки прямоугольного поперечного сечения, выполненной из антимонида ИНДИЯ п-типа с концентрацией электронов fv2-W см.-, вырезается часть широкой стенКИ волновода и заменяется поглощающим материалом. Для уменьшения прямых потерь несмежное с поглотителем основание полупроводникового образца делается короче.

Однако известные устройства обладают большими прямыми потерями, а для достижения большой СВЧ-развязки требуют сильных магнитных полей.

С целью увеличения СВЧ-развязки при одновременном снижении прямых потерь и величины индукции магнитного поля в предлагаемом устройстве поперечное сечение полупроводникового образца выполнено уменьшающимся, например, по линейному закону от основания.

На чертеже показано предлагаемое невзаимное устройство и разрез по А-А.

Невзаимное устройство состоит -из отрезка прямоугольного волновода /, полупроводникового образца 2 и источника 3 магнитного поля.

Полупроводниковый образец 2 изготавливается из материалов, обладающих при комнатной температуре высокой подвижностью и низкой концентрацией носителей зарядов (например анримонид индия), и может быть расположен в центре волновода и несколько смещен относительно центра в сторону узкой стенки.

Работа невзаимного устройства основана на эффекте смещения полей прямой и обратной волн к противоположным стенкам волновода в поперечно намагниченном полупроводнике. Так как у стенки волновода, вдоль которой волна должна распространяться, образец тоньше и короче, то и поглощение энергии волны у этой стенки мало. У противоположной стенки образец толще и длинее, поэтому поглощение энергии волны у этой стенки велико. Примерами полупроводниковых образцов, которые можно использовать в

предлагаемом ЕСЛНОВОДНОМ твердотельноплазменном невзаимном устройстве, являются образцы треугольной и трапецеидальной форм поперечного сечения и трапецеидальной продольного сечения. Дополнительное увеличение СВЧ-развязки достигается тем, -что часть широкой стенки волновода, к которой прилегает сторона образца с большой площадью, вырезается и заменяется поглощающим материалом.

Предмет изобретения

Невзаимное устройство, состоящее из отрезка прямоугольного волновода, полупроводникового образца и источника магнитного поля, отличающееся тем, что, с целью увеличения СВЧ-развязки при одновременном снижении прямых потерь и величины индукции магнитного поля, поперечное сечение полупроводникового образца выполнено уменьщающимся, например по линейному закону, от основания.

-Л