Невзаимное устройство Советский патент 1977 года по МПК H01P1/32 

1

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в качестве СВЧ-развязки.

По основному авт. св. i362378 известно невзаимное устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода, источник магнитного поля и полупроводниковый образец, поперечное сечение которого вьгаолнепо уменьшающимся по линейному закону от основания 1.

Однако известное устройство требует больщую величину индукции магнитного поля, необходимую для получения больших развязок и малых потерь.

С целью уменьшения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больших развязок и малых потерь, в предлагаемом невзаимном устройстве, по крайней мере, па одной из боковых сторон полупроводникового образца у его основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выще диэлектрической проницаемости полупроводникового образца.

На фиг. 1 приведена конструкция невзаимпого устройства; на фиг. 2 - сечение по А-А на фиг. 1.

Невзаимное устройство содержит отрезок прямоугольного волновода 1, внутри которого установлен полупроводниковый образец 2, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся по линейному закону от основания, на одной из боковых сторон образца у его основания нанесен слой диэлектрика 3, диэлектрическая проницаемость которого выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, а также источники 4 поперечного магнитного поля.

Невзаимное устройство работает следующим образом.

Полупроводниковый образец 2 изготовлен из материалов, обладающих при комнатной температуре высокой подвижностью и низкой концентрацией носителей заряда, например антимонида индия. Полупроводниковый образец 2 расположен в центре отрезка волновода 1 или несколько смещен в сторону узкой стенки. Магнитное поле направлено перпендикулярно узким стенкам образца волновода 1.

При смещении поля обратной волны к основанию полупроводникового образца 2, на прилегающую к основанию часть одной или каждой боковой стороны которого нанесен слой диэлектрика 3 с проницаемостью, выше

диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, энергия волны сильно полощается при относительно малых значениях индукции магнитного поля и прямых потерь. Сильное поглощение обратной волны объясняется тем, что наличие слоя диэлектрика 3 с

проницаемостью, выше диэлектрической проницаемости полупроводникового образца 2, приводит к увеличению концентрации СВЧполя обратной волны в области полупроводникового образца 2, граничащей с диэлектриком 3 и, следовательно, к увеличению поглощения.

Поле нрямой волны смещается к основанию полупроводникового образца 2, свободному от диэлектрика 3, поэтому концентрация СВЧполя прямой волны в полупроводниковом образце 2 меньще, а следовательно, меньще поглощение прямой волпы. Дополнительное уменьщение индукции магнитного поля при одновременном увеличении СВЧ-развязки достигается использованием полупроводникового образца 2, поперечное сечение которого уменьщается по линейному закону от основания, и заменой части щирокой стенки отрезка

волновода 1, к которой прилегает сторона с больщей площадью, поглощающим материалом.

Формула изобретения

Невзаимное устройство по авт. св. 362378, отличающееся тем, что, с целью уменьщения величины индукции магнитного поля, необходимой для получения больщих развязок и малых потерь, по крайней мере, на одной из боковых сторон полупроводникового образца у «го основания нанесен слой диэлектрика, диэлектрическая проницаемость которого выще диэлектрической проницаемости полупроводникового образца.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе изобретения:

. Авторское свидетельство СССР №362378, М. Кл.2 Н 01Р 1/32, 1970 г. (прототип).

4 2