ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВОЗБУДИТЕЛЬ Советский патент 1973 года по МПК H03F3/42 

Изобретение относится к области усилительной техники и может быть применено в устройствах, требующих использования двухтактных усилителей мощности.

Известны транзисторные возбудители для двухтактных усилителей мощности, содержащие входной каскад на транзисторе любого типа проводимости с разделенной коллекторной нагрузкой и выходной каскад на транзисторах разного типа проводимости с эмиттерной связью и последовательным питанием по постоянному току.

Однако в известных возбудителях переменные составляющие напряжений, снимаемых с резистивных нагрузок, включенных в коллекторные цепи разнотипных транзисторов возбудителя, находятся, относительно общей шины устройства, в фазе, что дает возможность применить данный возбудитель для раскачки только таких двухтактных усилителей мощности, которые выполнены -с применением разнотипных транзисторов, т. е. синфазность выходных напряжений возбудителя существенно ограничивает возможности его применения для раскачки двухтактных усилителей мощности.

С целью получения противофазных сигналов на выходах возбудителя в предлагаемом устройстве эмиттеры разнотипных транзисторов выходного каскада соединены через резистор, защунтированный конденсатором.

На чертеже приведена схема предлагаемого транзисторного возбудителя.

Транзисторный возбудитель выполнен на двух полупроводниковых триодах разного типа проводимости. Для определенности реализация представлена в том варианте, когда в качестве по отношению к общей

заземляемой шине используется полупроводниковый триод типа п-р-п, а в качестве верхнего -полупроводникового триода используется полупроводниковый триод типа р-п-р.

Эмиттер полупроводникового триода / соединен с эмиттером полупроводникового триода 2 через параллельно включенные- резистор 3 и конденсатор 4. Коллектор полупроводникового триода / соединен через резистор 5 с заземляемой шиной +Е, а коллектор полупроводникового триода 2 - через резистор 6 с незаземляемой щиной -Е источника питания. База полупроводникового триода / соединена непосредственно с коллектором раскачивающего транзисторный возбудитель полупроводникового триода 7, коллекторная нагрузка которого состоит из резисторов 8 Н 9, включенных последовательно между коллектором полупроводникового

триода 7 и незаземляёмой шиной -Е источ