ТРАНЗИСТОРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОСТОЯННЫХ НАПРЯЖЕНИЙ Советский патент 1973 года по МПК G05F1/08 

1

Изобретение O,TIHOCIHTCH к радиоэлеКтроиИке и можегг быть июнользоваио в интегральных DXieMaix.

В иавестиюй транзисторном уст;ро,йстВе для пО1луче.«1ИЯ по Сгоя1Н|Ных напряжений, .величины кОТ оръ1х кратны величине напряжения на переходе баэа-змнттер транзистора, включенного по схеме с ойщим эмиатерюм, в день базы KOTOpiOirio .в-ключея резисторный дел,И|гель напряжения, а коллектор Hepiea резистор соед1И|Н|ан с источйжком питания, отсутст1вуеТ стабнЛивадия велигоин выхюдньих иащряжений.

В предлагаемом устройстве ста-билизация величин ВЫ1Х10ДИЫХ на1прн.же1ний достиГ:а1ется тем,, что, М1ежду коллектором транзистюра и ОД1НИ1М КОНЦ01М рез1истора делителя напряжения подключен базо-эмиттерный переход д01Полн1И тельн01Ло транзистора, включенмого п,о схеме с общим коллвкто1р|0|М; кроме тошо, между коллектором дополните л ыно го транзистора и одним концо м резистора, включенно.го в коллектора транз|истора с 0|бпЩ|М эмиттером, ,В1КЛ11очен диюд.

На чертеже ставлен а принц1И|ПИ1аль на|Я cxeiMia предла.гаемо го транзист рното устройCTiBE для получения постоянных напряжений.

.Й1СТ1Во работает следующ1И1м обр1азом.

При подключении источника питания к шинам / и 2 на пр1омежут1ках база - эмиттер транзистора 3 и до1Полн И гельно(го гранзИСтоь Ра 4 появляется падение напряж:е1ния f/баПри ЭТ01М на выходном эа1Ж| ме 5 огносителъно земл1И появится пютенциаш вели1Ч И|н|ой f/en плюс падеННе н.апряжеяия на резнсторе 6. TaiK .KaiK величина резистора. 7 М1ала отиооИтелыно входного и;М1педанса транзистора 3, то

напряжение на резисторе 6 будет практически p:aiBHO Л-ббэ, где Л - отношение велиЧИ1Н1Ы резистора 6 к величине резистор а- 7. Поэто1М у напряжение на выход ноа зажИме 5 относ1И тельно земли будет равно (/V+l)-f/c3.

Если тр анзисторы 3 и 4 И1агО1ТО|Влены из одноroi и того же пол)П1р101Вюдни1ко1ВОГо мате р1И1ал1а, та1КОПо, KaiK монолитная интегральная структура, то потенциал на BbLxoaHOiM 3a« iHiMe 5 составит (Л-|-2) Если шин1а 2 н,е 31аземлена., а ходите я над каким-то смещающрм потенциалО|М, то эти выходные потенциалы увеличиваются на величину смеще1ния.

Предлагаемое устройство характеризуют ел еду ющие npeiH M ущ есПв а.

Паличие дегенеративной обрат1 ой связи, Обр1а13€1В;анной цепью: ггро межуточными ба3ia - эмиттер транзистора 3 и дополниггельHiopo тра1Н1зистора 4 и резИСтором 6, котора|Я

балансирует иаменеиие напряж.е1НИ|Я на выходных 3 аж1И1М:ах 5 и 8, выэваниое иэманейиом у|П1ра1Вля,ющ|е1Г|0 потенциала, пряложенното МбЖду Ш1И1нам1и 1 и 2. По питанию отсутCTlBiyioiT емкости, всшед1СТ1Вие чело не ;воэн1и:к-а1ет проблем1а изготовлетия их в интегралыной цапи. M awTbi-e велнчины резиюто ров (порядка. 5000 ом .или меныше) 6, 7 ,и 9, ,в1слеДСТВ|Ие чего для НИьч требуется набольшее пр-остранство в инталральном блоке. Низкий .выходной им1пед а1нс на выиодньих за|Ж. порядка 100 ом и М|енее. Выходн.ые потаншиалы стабил И13и.рую.Т|Ся отнюсителыно и поэтому практически, стободны от случайных HSiMeваний, произ1вод1И1М.ых 0|5щ1И1М имтедансюм на шине 1, овяз.анн0.й с з ажимюм .от различных друШ|Х цапей в инт1еграль1ном б лаке.

Ста|билиз1а1Ц№ю осуществляют при следующи1Х условиях.

Нал ИЧ1ие ntpHiMioino соедИ1нен1И Я между бавюй транз1И1Стора1 3 и 01бщей точ1кой со единения :рез1истор01в 6 и. 7. По|СЛедю1вателыно с резисгор|0м 9 М10Ж1ет бы:ть включав одйи диюд 10 и более с п.ря1М,ым смещением или лавирошролетные диоды: для того, чтобы уменьшить

проходную п|р.01В10. т|ран131И1стор.а 3 и, следовательно, усилить обратную овязь.

П р с д м .6 т н 3 о б р е т е iH ,и я

1. TipaiH3iHiCTOpi}ioe устройство для получ.ан.и.я постоянных лапряж аний, величины которых 1К|ратны 1вели1чине напряжения на переходе база-эмиттер тр аизист ра,, В1ключ(енного по

схеме с 0|бщ:и.м эмиттером, в цепь бааьг которого .включен резисторНЫЙ делитель напряжения, а коллектор через резистор соединен с источником питания, отличающееся т.ем, что, с целью .из1аци:и .величин вы о|днЫ|Х

напряжений, между колле1кто|ром yxaaiaHHOino тр1анзи1сто1р|а и одним концом резиютсра делителя напряжения подключен базо-эмитггерный переход дюоолнителыното транзисторна, В1ключеН|Н01Го по схеме с общим коллакторЮМ.

2. Транзисторное устройство по о. 1, отличающееся тем, что между :кол.лактором до1пол«1ительнс|го транзистора и одним концом р.езистора, включенного в цепь .коллектора TipiaHsiHCTOpia с 01бщи,м эмиттером, включай

диюд.