Изобретение относится к полупроводниковым лшогослойным переключающим устройствам.
Известны полупроводниковые устройства, cocTOHuflte, по меньшей мере, из двух многослойных переключающих элементов, например тиристоров, образованных в подложке, часть которой, заключенная между анодной и управляющей областями каждого тиристора, является областью активной базы этих элементов. При использовании известных устройств в схеме коммутатора переменкого тока необходим отдельный конструктивный злемент, вьтолняющий функции ключа, соединяющего управляющие области встречно-параллельно соединенных переключающих элементов устройства. Например, в известных коммутаторах переменного тока в качестве ключа используют механические и электромеханические устройства, а также даскретные полупроводннковые приборы.
В предлагаемом устройстве повышение его надежности достигается размещением полевого электрода над подложкой и частью управляющей области каждого тиристора. Полевей электрод создает канал проводимости между управляю1шп«ш областями тарнсторов, обеспечивающий прохождение тпка управления, включающего один из
тиристоров при любой полярности напряжения на внешних Еьгаодах устройства. Следовательно, предлагаемое устройство может работать в качестве управляемого коммутатора переменного тока.
На чертеже схематически представлен один из вариантов выполнекня предлагаемого устройства.
На схеме показано сечение полупрювошшкового устройства, состоящего из пластины 1 исходного полупроводникового материала «-типа проводимости, содержащей планарные области 2,3,4 и 5 р-типа проводимости и созданные в областях 4 и 5 области 6 и 7 п-пта проводимости. На окисной пленке 8 над областью 1 и частично над областями 4 и 5 размещен металлический электрод 9. Последний и окисная пленка 8 образуют полевой электрод.
У областей 2, 3, 6,1 и металлического электрода 9 имеются контакты 10, 11, 12, 13 и 14 соответственно, причем контакты 10 и 13 соединены между собой и обидай вывод 15, к(1такты 11 и 12 также соединены между собой и имеют общий вывод 16, а контакт 14 имеет вывод 17. Области 2,4, 6 и 1 образуют структуру первого тиристора, а области 3, 5, 7 и 1 - структуру второго тиристора, причем у обокх тиристоров нмеетсч
