Полупроводниковое многослойное переключающее устройство Советский патент 1977 года по МПК H01L21/00 H01L29/00 

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ МНОГОСЛОЙНОЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ

I

Изобретение относится к полупроводниковым переключающим устройствам.

Известны многослойные переключающие устройства, например тиристоры, горизонтальной структуры с, по меньшей мере, двумя основными и одним управляющим электродами и полевым электродом.

Цель изобретения - повышение эффективности работы устройства на переменном токе.

Это достигается тем, что полевой электрод, размещенный над областью базы, обхватывает, по меньшей мере, часть управляющей области и закорочен с одним из основных электродов, например в симметричных тиристорах. В ряде полупроводниковых устройств представляется целесообразным соблюдение равенства количества управляющих областей и.обхватывающих их полевых электродов.

На чертеже схематически изображен тиристор горизонталыюй структуры, состоядай из пластины 1 монокристаллнческого кремния п-типа проводимости с концентрацией электрически активных цримесей 3 10 см,

В пластине озданы одновременно методом локальной даффузии акцепторной примеси, например бора, анодная 2 и управляющая 3 области.

УСТРОЙСТВО

р-типа проводимости. Каждая область представляет собой квадрат размером 100x100 мкм, глубиной 20 мкм. Расстояние между областями 40 мкм, кондентрация электрически активных примесей в каждой из областей З-Ш . Последуюидай локальной диффузией донорной прнмеси, например фосфора, в управляющую область 3 создана катодная область 4 п-типа проводимости. Шмртша н длина этой области 20 мкм, глубина 10 мкм, кошвнтрация электрически активных примесей 1 20 см .

Области 2,3 н 4 имеют омические контакты

и 7 соответственно. Контакт 5 представляет собой

напыленный слой алюминия толиушой 1 мкм,

соединенный с областью 2 н размещенный на

окисной пленке 8 толщиной 0,1 мкм над пластиной 1 в виде прямоугольного кольца, окружающего область 3. Ширина кольца 20, а длина 600 мкм. Контакт 5 отстоит от края области 3 на 40 мкм, огибая ее с трех сторон. Контакт к области 3 имеет

вид прямоугольника размером 20 х 60 мкм, а контакт к области 4 - квафата размером 15x15 мкм. Оба они также выполнены из напыленного алюг1а$ння.

Так же может быть изготовлен транзистор горнзонтальной структуры, состоящй из пластины