Прибор на основе арсенида галлия Советский патент 1977 года по МПК H01L29/00 

Изобретение относится к конструкциям полупроводниковых устройств на основе арсенида галлия, использующих принципы эффекта поля. Известна конструкция полевого тран зистора на. основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структурьа) . Известные МДП-структуры не позволяют получить плотность поверхностных состояний на границе раздела арсенид галлия-диэлектрик менее 10 см . Из-за значительной плотности состо яний (1-4) 10 см , на границе раздела ба 5-диэлектрик полевые приборы с известными МДП- структурами не реализуют в полной мере принципиальных преимуществ арсенида галлия перед традиционными полупроводникс1ми (кремНИИ и др)„ Цель изобретения - создание МДПструктуры на основе арсенида галлия с низкой ( «-3-10 см ) плотностью по верхностных состояний на границе раздела Gate-диэлектрик и получение элект рически прочного диэлектрика ( В/см) . Цель достигается введением промежу точного слоя диэлектрика нитрата гал ЛИЯ GaM между арсенидом галлия и слоем (или слоями основного диэлектрика, например SijB . При изготовлении предлагаемой конструкции на пластину или слой арсенида галлия наносят слой нитрида галлия, выращивают слой (или слои) основного диэлектрика, затем наносят слой металла или сильно легированного полупроводника . Присутствие в МДП-структуре слоя нитрида галлия позволяет существенно (более чем в 3-4 раза) понизить плот«ность noBepxHocTHtix состояний на граниде раздела и, следовательно, существенно улучшить характеристики полевьох приборов на основе GaAs, например, увеличить максимальную рабочую частоту полевьюс транзисторов и МДП-варика пов. Формула изобретения Прибор на основе арсенида галлия с изолированным электродом, о т л и ч ; ю щ и и с я тем, что, с целью улучшения его характеристик, между арсенк; дом галлия и слоем диэлектрика распс« ложен дополнительный слой нитрида галлия.