ДИОДНЫЙ БЛОК Советский патент 1973 года по МПК H01J1/18 

Описание патента на изобретение SU377915A1

1

Изобретение относится к области электронной и вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах малогабаритных вычислительных машин.

Известны диодные блоки, содержащие полупроводниковые кристаллы с диодами, размещенные на теп л одр овод я щей электроизоляционной Подложке, и металлизированные площадки. Такие блоки недостаточно «адежны в работе.

В целях ловыщения надежности в предлагаемом блоке диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных .полупроводниковых кристаллах, попа-рно соединены между собой и через металлизированные площадки-с выводами блока.

На чертеже показан предлагаемый блок.

Полупроводниковые кристаллы 1, например кремниевые, содержат группу диодов 2 с общим катодом (анодом) 3 и расположены на металлизированных площадках 4, которые нанесены на теплопроводящую электроизоляционную подложку 5, например, из бериллиевой керамики. На той же подложке расположены металлизированные площадки 6 с отдельными кристаллами 7 полупроводника, например, кремния, в которых сформированы пары диодов 8.

Аноды (катоды) 9 первой группы диодов 2 с общим катодом (анодом) 3 соединены попарно между собой направленными перемычками 10 и с площадками 6, например, путем точечной сварки золотых проводников 11. Аноды (катоды) отар диодов 8 такл-ге соединены попарно между собой напыленными перемычками 12 и с внешними анодными (катодными) выводами 13 блока, выполненными, например, из объемных проводников. Общий катод (анод) 3 соединен с площадкой и с внешним катодным (анодным) выводом 14. Крепление выводов и герметизация блока производятся заливкой компаундом, например эпоксидным.

Предмет изобретения

Диодный блок, содержащий полупроводниковые кристаллы с диодами, размещенные на теплопроводящей электроизоляционной подложке, и металлизироБанные площадки, отличающийся тем, что, с целью ловыщения надежности, диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных лолупроводникоозых кристаллах, попарно соединены между собой и через металлизированные площадки - с выводами блока.

12

13

Похожие патенты SU377915A1

название год авторы номер документа
ГИБРИДНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ ВАКУУМНОЕ МИКРОПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО 1994
  • Щелкунов Г.П.
  • Иовдальский В.А.
  • Бейль В.И.
  • Грицук Р.В.
RU2073936C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА С ВИСКЕРОМ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА 2016
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2635853C2
СБОРКА ИЗ ДВУХ ВАРИКАПОВ С ОБЩИМ КАТОДОМ (ВАРИАНТЫ) 2006
  • Хан Александр Владимирович
  • Хан Владимир Александрович
  • Дохтуров Всеволод Всеволодович
  • Глущенко Виталий Александрович
  • Ковтуненко Геннадий Федорович
  • Семенов Анатолий Васильевич
RU2325002C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ 1996
  • Евсеев Юрий Алексеевич[Ru]
  • Рачинский Любомир Ярославович[Ua]
  • Тетерьвова Наталья Алексеевна[Ua]
  • Селенинов Казимир Леович[Ee]
  • Дерменжи Евгений Пантелеевич[Ru]
  • Друянова Ева Ионовна[Ua]
  • Насекан Ольга Семеновна[Ua]
  • Рыбак Роман Иосифович[Ua]
RU2091907C1
Способ изготовления планарного диода с анодным вискером и воздушным выводом по технологии "Меза-Меза" 2022
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2797136C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ С ПОЛОСОЙ МОДУЛЯЦИИ В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ 2008
  • Васильев Михаил Григорьевич
  • Белкин Михаил Евсеевич
  • Шелякин Алексей Алексеевич
RU2421857C2
ГЕРМЕТИЧНЫЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ АККУМУЛЯТОР 2015
  • Бхардвадж Рамеш С.
  • Этцкорн Джеймс
  • Бидерман Уилльям Джеймс
  • Отис Брайан
RU2668567C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД 2001
  • Хан А.В.
  • Игнатьев М.Г.
  • Хан В.А.
  • Гущин С.М.
RU2200358C1
ТИРИСТОРНЫЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ МОДУЛЬ 1992
  • Евсеев Юрий Алексеевич[Ru]
  • Селенинов Казимир Леович[Ee]
RU2083027C1
ТРЕХМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 1997
RU2133523C1

Иллюстрации к изобретению SU 377 915 A1

Реферат патента 1973 года ДИОДНЫЙ БЛОК

Формула изобретения SU 377 915 A1

SU 377 915 A1

Авторы

В. Б. Хавкин, Л. М. Норкин А. М. Скворцов

Даты

1973-01-01Публикация