1
Изобретение относится к области электронной и вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах малогабаритных вычислительных машин.
Известны диодные блоки, содержащие полупроводниковые кристаллы с диодами, размещенные на теп л одр овод я щей электроизоляционной Подложке, и металлизированные площадки. Такие блоки недостаточно «адежны в работе.
В целях ловыщения надежности в предлагаемом блоке диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных .полупроводниковых кристаллах, попа-рно соединены между собой и через металлизированные площадки-с выводами блока.
На чертеже показан предлагаемый блок.
Полупроводниковые кристаллы 1, например кремниевые, содержат группу диодов 2 с общим катодом (анодом) 3 и расположены на металлизированных площадках 4, которые нанесены на теплопроводящую электроизоляционную подложку 5, например, из бериллиевой керамики. На той же подложке расположены металлизированные площадки 6 с отдельными кристаллами 7 полупроводника, например, кремния, в которых сформированы пары диодов 8.
Аноды (катоды) 9 первой группы диодов 2 с общим катодом (анодом) 3 соединены попарно между собой направленными перемычками 10 и с площадками 6, например, путем точечной сварки золотых проводников 11. Аноды (катоды) отар диодов 8 такл-ге соединены попарно между собой напыленными перемычками 12 и с внешними анодными (катодными) выводами 13 блока, выполненными, например, из объемных проводников. Общий катод (анод) 3 соединен с площадкой и с внешним катодным (анодным) выводом 14. Крепление выводов и герметизация блока производятся заливкой компаундом, например эпоксидным.
Предмет изобретения
Диодный блок, содержащий полупроводниковые кристаллы с диодами, размещенные на теплопроводящей электроизоляционной подложке, и металлизироБанные площадки, отличающийся тем, что, с целью ловыщения надежности, диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных лолупроводникоозых кристаллах, попарно соединены между собой и через металлизированные площадки - с выводами блока.
12
13
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ГИБРИДНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ ВАКУУМНОЕ МИКРОПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО | 1994 |
|
RU2073936C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА С ВИСКЕРОМ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА | 2016 |
|
RU2635853C2 |
СБОРКА ИЗ ДВУХ ВАРИКАПОВ С ОБЩИМ КАТОДОМ (ВАРИАНТЫ) | 2006 |
|
RU2325002C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ | 1996 |
|
RU2091907C1 |
Способ изготовления планарного диода с анодным вискером и воздушным выводом по технологии "Меза-Меза" | 2022 |
|
RU2797136C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ С ПОЛОСОЙ МОДУЛЯЦИИ В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ | 2008 |
|
RU2421857C2 |
ГЕРМЕТИЧНЫЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ АККУМУЛЯТОР | 2015 |
|
RU2668567C2 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД | 2001 |
|
RU2200358C1 |
ТИРИСТОРНЫЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ МОДУЛЬ | 1992 |
|
RU2083027C1 |
ТРЕХМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ | 1997 |
|
RU2133523C1 |
Авторы
Даты
1973-01-01—Публикация