Известны запоминающие устройства, в которых в качестве селектирующих элементов использованы интегральные диодные сборки.
Недостатком таких устройств является невысокая надежность, определяемая больщим количеством дискретных полупроводниковых диодов.
Целью изобретения является создание запоминающего устройства повышенной надежности.
Сущность изобретения заключается в том, что анодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими катодами соединены между собой и с началами числовых обмоток, а катодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими анодами соединены между собой и с концами числовых обмоток.
На фиг. I представлена принципиальная схема предлагаемого устройства, на фиг. 2 - конструкция предлагаемого устройства.
Анодные выводы диодов интегральных диодных сборок /, общий катод каждой из которых образует координатную щину X матрицы, соединены в группы, например, попарно между собой и с началами числовых обмоток 2 (или первичных обмоток координатных трансформаторов).
пример, попарно между собой и с концами числовых обмоток 2. Конструкция запоминающего устройства представляет собой блок 4, из 128 числовых пластин, прощитых непрерывными разрядными проводами.
Числовая обмотка 2 пластины выполнена таким образом, что ее начало 5 и конец 6 выведены на общую торцовую поверхность со взаимно противопололчных ее концов.
Для удобства монтажа пластины в блоке располагаются последовательно повернутыми относительно друг друга на 180° вдоль продольной оси. Это увеличивает щаг между выводами числовых обмоток 2 и обеспечивает возможность расположения восьми блоков дешифратора 7 с двух сторон блока пластин и содержащего четыре интегральных диодных сборки, две из которых / с общим катодом п две 3 с общим
анодом.
Интегральные диодные сборки с общим анодом разделены на четыре группы, что обусловлено выполнением схемы по фиг. 1, т. е. возможностью соединения каждой группы
диодных сборок 3 блока дешифратора с одноименными группами диодных сборок последующих блоков дешифратора.
Контакты впещней коммутации разрядных обмоток выведены на общую рамку блока
ния числовых обмоток блока пластин с соответствующими диодами блоков дешифратора 7 запоминающее устройство заливается герметизирующим компаундом и закрывается металлическими крыщками 9.
Предмет изобретения
Запоминающее
устройство, содержащее .ферромагнитные элементы памяти и интегральные диодные сборки, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, анодные выводы кажТюй группы диодов интегральных диодных сборок с общими катодами соединены между собой и с началами числовых обмоток, а катодные выводы каждой группы диодов интегральных диодных сборок с общими анодами соединены между собой и с концами числовых обмоток.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Постоянное запоминающее устройство | 1975 |
|
SU556498A1 |
МОДУЛЬ МАГНИТНОГО НАКОПИТЕЛЯ | 1973 |
|
SU376803A1 |
ДИОДНЫЙ БЛОК | 1973 |
|
SU377915A1 |
Устройство принудительной коммутации тиристоров преобразователя (его варианты) | 1984 |
|
SU1264270A1 |
Постоянное запоминающее устройство | 1978 |
|
SU767841A2 |
Постоянное запоминающее устройство | 1977 |
|
SU739653A1 |
Вентильный электродвигатель | 1985 |
|
SU1288834A1 |
Функциональный генератор | 1980 |
|
SU942058A1 |
Тиристорный реверсивный преобразователь с искусственной коммутацией | 1984 |
|
SU1251262A1 |
Двухзонный непосредственный преобразователь частоты и числа фаз в режиме источника тока | 1982 |
|
SU1137558A1 |
Даты
1970-01-01—Публикация