СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ИОНОВ В ВАКУУМЕ Советский патент 1973 года по МПК G01T1/24 

1

Известен масс-спектрометрический способ детектирования ионов.

Цель изобретения - повышение чувствительности и упрощение процесса детектирования ионов в вакууме.

Это достигается тем, что в качестве детектора используют полупроводник JJ виде окисного поликристаллического слоя, нанесенного на кварцевую подложку.

Новый способ основан на принципе изменения электрофизических свойств (электропроводности, сопротивления) тонких полупроводниковых пленок под влиянием взаимодействия (адсорбции) ионов с поверхностью пленок.

Чувствительность предлагаемого способа по ионам составляет в среднем ионов/смз в пространстве, прилегающем к

пленке, минимальная чувствительность пленки в отношении поверхностной концентрации ионов/см.

Ионы благородных газов, попадая на поверхность тонкого окислительного поликристаллического слоя, изменяют концентрацию носителей тока в этом слое, что обусловливает нанесение их примесного сопротивления.

Иред мет изобретен и я

Способ детектирования ионов в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и упрощения процесса детектирования, в качестве детектора используют полупроводник в виде окисного поликристаллического слоя, нанесенного на кварцевую подложку.