СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АЗОТА В КРЕМНИИ Советский патент 1973 года по МПК G01N23/00 

1

Изобретение относится к области исследования полупроводниковых материалов и может быть применено для определения прпмесей III и V групп, растворенных в кремни.ч в виде электрически неактивных комплексов, нннример Sb2.

Известные способы определения азота в кремнии, например спектральный, не позволяют фиксировать то количество азота, которое может повлиять на характеристики приборов при получении их нонпо-лучевым методом.

Цель изобретения - устранение этого недостатка.

Для этого исследуемый образен кремния, например, р-тина бомбардируют ускоренными нонами неона или любого другого инертного газа. Ускоренные ионы, проникая в кремний, разбивают растворенные в нем электрически нейтральные азотсодержащие молекулы N9 или 51зМ4, переводя азот в атомарное состояиие. Доза облучения должна быть близкой к граничной дозе аморфизации. Отжиг облученного образца при 600-900°С кроме удаления радиационных дефектов приводит к переходу атомов азота из .междоузлий в узлы кристаллической решетки, где азот проявляет свои донориые свойства, т. е. становится электрически активным. Таким образом, донорный азот создает на поверхности кремния

р-тина п-сло 1. который определяют по знаку термо-э. д. с. или любым другим способом.

Концеитрацню электрически активного азота определяют нз.мерением удельного сонротнБленпя эффекта Холла облученного слоя.

Если же п-слой отсутствует, то концентрация азота в кремнни меньнле предела, нри которо.м азот может оказывать влиянне на свойства приборов, полученных с помощью ионно-лучевого легнрования.

Для определения азота в кремнин п-тнпа образец предварительно переводят в состояние р-тппа путем облученпя его, напри.мер, нонами бора.

Предмет изобретения

Способ определення азота в кремнин путем ионной бомбарднровкн с последующим отжнгом н определением налнчия азота по типу проводнмости облученного слоя, от-тчающийся тем, что, с целью определенпя того количеС1ва азота, которое .может влиять на характеристики приборов при ионно-лучевом легировании, образен кремния, например, р-типа облучают ионами электрически неактивного элемента.