СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ИЗДЕЛИЙ и ПОКРЫТИЙ Советский патент 1973 года по МПК G01N23/207 G01B15/02 

Изобретение относится к области мергзрушающих ИСиытакий материалов :-i издел;гГ| с помощью проникающего излучения, в частности с помощью потока электронов. Известен сиособ контроля толщины TOHKJLX изделий и покрытий по отражению излучеилл с применением .моиоэнергет.ччесхого пучка электронов, когда с .целью увеличения вительности контроля путем выделе ;иу гетичеокой области, в которой отраженное излучение максимально зависит от толщм/ы пзделия (покрытия), производят рег;1стр,цию отрал енного излучения в энергетическом интервале, соответствующем энергетическому спектру вторичного, например, |флуоресцентного излучения, выход которого сильно зависит от толщины изделяя (покрытия). При это.м область необходимой дискриминации отраженного излучения по энергии обычно хорошо выражена на спектре отраженного 1:злучения благодаря дискретно.му характеру спектра вторичного излучения. Недостаток известного способа контроля заключается в том, что он не дает возмож;гости увеличить чувствительность контроля путем выделения оптимального энергетического интервала регистрации отраженного излучения в том случае, когда толщина изделия (покрытия) слищком велика, чтобы можно было использовать для контроля вторичное излучг;; с дискретным спектром и когда необходимо иснользсзать отражеи)1ые электроны, энергетгческий спектр которых является непрерывным. По нредлагаемому способу с целью увеличения чувствительности известюго метода контроля отраженные электроны регистрируют в энергетическом интерзале, расположенном в области энергии спектра отраженных электронов, меньщих наиболее вероятнсй энергии спектра, при контроле од1;осоднь х 1;зделий и покрыт:- с отноше1 ием эффект 1вного атомного номера материала покрыт я к эффективному aтo iнoмy номеру подложки больше , и в энергетическом интервале, расположен ом в области энергий, больших наиболее вероятно ; энерги спектра, нр контроле покрытий с отношением эффект}1вного номера покрытия к эффективному атомному номеру подложки .меньше ед ницы. При расположен энергетических И 7ервалоБ ре истрации отраженных электронов а указан 1ых участках спектра изме 1ение толщины изделия (нокрыт 1я) обеспеч вает на большее отношение относител ;Ного зменен1 я потока регистр: руемых отраженных электронов к относительному 1 з е тению толшзшы покрытия.