1
Настоящее изобретение относится к области промышленного производства полупроводниковых материалов.
Известны устройства для бесконтрольного контроля удельного сопротивления полупроводниковых материалов, использующие емкостной метод измерения, заключающийся в том, что в измерительный колебательный контур, питаемый генератором, помещается при помощи электродов измеряемый образец, сопротивление которого шунтирует через емкость связи колебательный контур, а процесс измерения заключается в изменении величины емкости связи до момента резонанса измерительного колебательного контура с генератором. Однако при использовании известных устройств на результаты измерений оказывают влияние геометрические факторы. Например, отклонение диаметра кристалла от номинального на 1 % при определенной геометрии электродов связи, вызывая изменение емкости связи, может привести к изменению показаний регистрирующего прибора при том же значении удельного сопротивления измеряемого кристалла на 10% и более в зависимости от степени «остроты резонанса измерительного колебательного контура.
Влияние отклонения диаметра измеряемого кристалла от номинальной величины может сказаться на результате измерений в большей
мере, чем изменение величины удельного сопротивления этого же кристалла. Для устранения подобных явлений необходимо производить подстройку измерительного контура в резонанс с генератором, что осуществляется изменением емкости связи между кристаллом и измерительным контуром. Такую настройку осуществляют вручную. В этом полол ении регистрирующий прибор фиксирует амплитудное
значение напряжения измерительного контура, соответствующее сопротивлению измеряемого кристалла.
Необходимость ручной настройки измерительного колебательного контура в резонанс
с генератором является одним из существенных недостатков устройства.
Для повыщения точности измерения и упрощения процесса измерений, предлагаемое устройство снабжено переменным корректирующим конденсатором, одна обкладка которого включена последовательно с одним из электродов связи,.а другая одновременно связана с измерительным колебательным контуром и
регистрирующим устросйтвом, причем ротор переменного корректирующего конденсатора жестко связан с вышеуказанным электродом связи.
На чертеже приведена функциональная схема предлагаемого устройства.
Генератор 1 питает измерительный колебательный контур 2, в который через емкость связи 3 включается измеряемый образец нолунроводника 4. Предлагаемое устройство содержит переменный корректирующий конденсатор 5, ротор которого механически связан с одним из электродов связи, занимая то или иное положение в зависимости от величины диаметра измеряемого кристалла. Включен переменный корректирующий конденсатор последовательно с емкостью связи полупроводникового кристалла с измерительным колебательным контуром. При изменении положения ротора корректирующего конденсатора, емкость его меняется таким образом, что компенсирует изменение емкости связи, вызванное изменением диаметра кристалла, поддерживая измерительный колебательный контур в состоянии резонанса с генератором.
Предмет изобретения
Устройство для бесконтактного контроля удельного сонротивления полупроводниковых материалов, содержащее задающий генератор, измерительный колебательный контур с электродами связи, внутри которых помещен испытуемый образец нолупроводника, детектор и регистрирующий прибор, отличающееся тем,
что с целью повыщения точности измерения, оно снабжено неременным корректирующим конденсатором, одна обкладка которого включена последовательно с одним из электродов связи, а другая одновременно связана с измерительным колебательным контуром и регистрирующим устройством, нричем ротор переменного корректирующего конденсатора жестко связан с выщеуказанным электродом связи.
ffa вторичному прибору
